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欧盟17国联合研发2nm技术,美国半导体霸主地位恐不保

2020-12-14
来源:21IC电子网

据外媒报道,近日一些欧盟国家公布了一项计划,旨在共同合作,以提高该地区在全球半导体市场的地位,并减少对亚洲和美国进口的依赖。

日前,欧盟委员会(European Commission)召开了欧盟17个国家电信部长(大臣)的视频会议。会后,这17个国家签署了《欧洲处理器和半导体科技计划联合声明》,宣布将在未来2-3年内投入1450亿欧元(约合人民币1.2万亿元)的资金,以推动欧盟各国联合研究及投资先进处理器和其他半导体技术。

该联合声明指出,目前欧盟的半导体技术与自身经济地位不匹配,欧盟国家占全球GDP的16%,但在价值4400亿美元的半导体市场上,欧盟国家的份额只有10%。与此同时,受卫生事件及其他影响,欧盟也开始意识到了在关键的半导体技术上“自主可控”的重要性,希望“减少关键性外部依赖”。此外,该报告还重点提及了欧盟需要在先进处理器,以及2nm先进工艺制造上进行追赶。

作为协议的一部分,各国将协调本国的研究,并同意以被视为高增长的特定领域为目标,其最终目标是“加强欧洲设计,并最终制造下一代可靠的低功耗处理器的能力”。这些处理器将应用于高速连接、自动化车辆、航空航天和国防、健康和农业食品、人工智能、数据中心、集成光子学、超级计算和量子计算。

据悉,此次共有17个国家签署了这份声明,其分别为比利时、德国、爱沙尼亚、希腊、西班牙、法国、克罗地亚、意大利、马耳他、荷兰、葡萄牙、斯洛文尼亚、芬兰、罗马尼亚、奥地利、斯洛伐克和塞浦路斯。

而没有签署这一声明的国家是保加利亚、捷克、匈牙利、爱尔兰、拉脱维亚、立陶宛、卢森堡、波兰和瑞典等9个国家。

事实上,除了上述欧盟国家之外,近几年中国半导体也在加速摆脱对美依赖。而中科院一向是我国技术研发的主要阵地,获得了多项重要的技术专利,因此在半导体技术领域,中科院自然也不会缺席。

目前,中科院已经研发出了新型垂直纳米环珊晶体管,并被视为2nm及以下工艺的主要技术候选。这意味着,等该项技术成熟之后,国产2nm芯片有望成功破冰。因为这一技术可比之前三星所发布的3nm工艺需要采用的GAA环绕珊极晶体管性能更强、功耗更低!

但遗憾的是,中科院研发的2nm芯片并不能投入量产,更不能用于手机等智能设备。其原因是我国并没有能够大量生产这种芯片的设备,尤其是光刻机。

不过21ic家认为,虽然眼下我们无法超越英特尔、高通等美国芯片巨头,但随着国家对集成电路产业扶持政策的落地,以及这几年中国企业的奋起追赶,相信在不久的将来,中国半导体技术一定能够取得更大的突破,站在世界之巅!


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