昨日，全球领先的MEMS代工企业赛微电子发表公告称，公司于2021 年 4 月 1 日与青州市人民政府签署了《合作协议》，拟在青州经济开发区发起投资 10 亿元分期建设聚能国际 6-8 英寸硅基 氮化镓功率器件半导体制造项目。

　　公告进一步指出，该项目总占地面积 30 亩，一期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 5,000 片/月的生产能力，二期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 12,000 片/月的生产能力，将为全球 GaN 产品客户的旺盛需求提供成熟 的技术支持和产能保障。

　　根据公告，该项目一期计划建设周期为 9 个月，2021 年底前做好投产前准备，2022 年 上半年投入生产，一期产能投产达效后预计可新增年销售收入 5 亿元，利税 8,000 万元。

　　赛微在公告中表示，公司的GaN（氮化镓）业务市场需求旺盛、自主研制产品性能优异，但却严重受制于外部不可控产能。因此，公司GaN 业务的进一步发展急需自主可控产能的 保障。此次公司与青州市人民政府签署《合作协议》，共同推进 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆制造项目的建设，将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设，且已经锁定成套热线设备、目标是在 2021 年内建成并做好投产准备，有利 于公司进一步完善 GaN 业务的全产业链 IDM（垂直整合制造）布局，在现有产业 链合作基础上进一步加强产能保障，把握 GaN 业务发展的关键机遇窗口，逐步形 成自主可控、全本土化、可持续拓展的 GaN 材料、设计、制造能力，促进公司第三代半导体业务的长远发展。

　　截至目前，赛微已于 2018 年 7 月在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯 微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微 波器件的设计、开发；已于 2018 年 6 月在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源（青 岛）半导体材料有限公司”，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延 材料的设计、开发、生产，该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期） 已于 2019 年 9 月达到投产条件，正式投产。作为公司 GaN 业务一级平台公司， 聚能创芯汇聚了业界领先团队，拥有第三代半导体材料生长、工艺制造、器件设 计等全产业链技术能力及储备，且截至目前在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圆、GaN 功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。

　　公司本次与青州市人民政府签署《合作协议》，拟在青州市建设 6-8 英寸硅 基氮化镓功率器件半导体制造项目，若项目顺利建成，将有助于公司进一步完善 GaN 业务的全产业链布局，把握 GaN 业务发展的关键机遇窗口，逐步形成自主可 控的生产制造能力，促进公司相关业务的长远发展，有利于提高公司的综合竞争 实力，将对公司的长远发展产生积极影响。