头条 我国科学家造出可编程三维光子神经网络 将可编程光子神经网络写进玻璃内部，是不是听上去有些科幻？科学家近期的一项研究证明，这条路不仅跑通了，而且规模越大优势越明显。近期，华中科技大学张新亮教授、董建绩教授与上海交通大学唐豪教授团队联合提出了一种可编程光子计算的新范式。他们开发了新架构 LAMP（Lantern-shaped Adaptive Multilayer Photonic network），意为灯笼形自适应多层光子网络。 最新资讯 华为海思：结盟ARM台积电 紧追高通联发科 移动装置IC一向是高通和联发科的天下，但华为旗下的海思半导体2014年领先全球在台积电投片全球第一颗FinFET制程的手机IC产品，轰动半导体业界，海思更是出面力挺台积电和ARM的16纳米FinFET+制程。海思指出，ARM是盟主，台积电绝对是海思在先进制程上的最佳盟友。 发表于：2015/2/9 三星半导体 vs SK海力士 谁更会做生意？ 受惠于2014年DRAM市场好转，南韩两大半导体厂三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也创下了亮眼的成绩。两者相较，三星半导体部门虽然在营收、营利规模上赢过SK海力士，不过SK海力士营利率表现则是优于三星。 发表于：2015/2/8 Android的低价化 多样化挑战 近2年，连智能手机也开始吹起低价风，首先是Android手机跌破200美元，而后往150美元目标努力。 发表于：2015/2/8 蜿蜒边界能提高石墨烯强度？ 石墨烯，碳的层状形式，很少会出现像铁编织网一样的完美的六原子环状结构。通过化学气相沉积方法，通常会形成“畴”，或者多个片层分别从热催化剂延伸生长后，重叠在一起。 发表于：2015/2/8 小改变大不同 揭秘DDR4内存与DDR3区别 DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说，内存发展可谓相当缓慢。不过好在2014年底，各大厂商纷纷上架DDR4内存产品，起跳频率达到2133MHz，标志着DDR3时代的终结。 发表于：2015/2/8 联发科首款CDMA制式SoC揭秘 4G全面火拼高通 2014年高通诸事不利，先是遭到国家发改委的反垄断调查，随后其骁龙615、810等芯片状况频频，而长期以来被其所压制的联发科却在研发速度和市占率上都取得了长足的进步。但电信网络制式--这块长期被高通所统治的领域联发科一直都无法涉足。 发表于：2015/2/8 突破细微化极限！东芝携手海力士研发纳米压印技术 全球第2大NAND型快闪存储器 （Flash Memory）厂商东芝 （ Toshiba ）5日发布新闻稿宣布，为加快次世代半导体露光技术纳米压印技术 （NIL）的研发脚步，已和南韩半导体大厂SK 海力士 （SK Hynix ）正式签署契约。 发表于：2015/2/7 Galaxy S6有望率先装备 ePoP内存封装工艺面积减少40% 本周早些时候三星官方正式宣布开始量产应用于智能手机上的高密度ePoP内存模组，这是业内首次使用“在封装基础上再进行嵌入封装”的内存模组，这种新封装工艺的优点在于面积减少40%，满足了市场对高速度，低能耗和高集成度的要求。 发表于：2015/2/7 Android旗舰手机读写速度大比拼：索尼Xperia Z3最快 Mate7垫底？ 显然，在我们选择智能手机的时候，手机内部闪存的读写速度这一性能被我们忽视了。但是这确实是手机使用过程中一个很重要的方面。许多用户经常说他们的手机太慢了，这其中，闪存的读写性能占很大一部分原因。 发表于：2015/2/7 三星Galaxy S6或拥6.91mm厚度 此前，我们曾报道过据说是Galaxy S6的金属外壳。而现在，有关该机的尺寸和结构的图片也已经外流到了互联网上。我们通过图片上标注的数字可知，即将到来的Galaxy S6也将实现与iPhone 6相同的厚度，即6.91mm。 发表于：2015/2/7 <…2325232623272328232923302331233223332334…>
