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恩智浦发布两种拥有0.65 mm的行业最低高度的新2x2 mm无铅分立封装
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IGBT在不间断电源中的应用
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大功率多相降压型 DC/DC 控制器具有差分远端采样、有源电压定位和 Stage Shedding 技术
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Maxim推出内置MOSFET的单端口、供电设备(PSE)控制器
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针对大电流轨的三相降压型 DC/DC 控制器
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IR 推出汽车用 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，提供可靠的紧凑型解决方案
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高性能4通道D类音频放大器设计
发表于：5/5/2010 12:00:00 AM
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Vishay Siliconix发布首款采用PowerPAK 1212-8封装的30V P沟道TrenchFET功率MOSFET
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Vishay Siliconix发布首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET
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Maxim推出内置28V MOSFET的双向过流保护器
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英飞凌与飞兆半导体达成功率MOSFET兼容协议
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安森美半导体扩充高压功率方案系列，推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
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Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术扩展至双路12V功率MOSFET
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IR 推出坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列
发表于：4/7/2010 12:00:00 AM
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Vishay Siliconix 推出新款500V N沟道功率MOSFET
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Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件，继续扩充IHLP®系列电感器家族
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Vishay发布新款microBUCKTM集成同步降压稳压器
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
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IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET，适用于ORing和电机驱动应用
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60V 输入、双路输出同步降压型 DC/DC 控制器在电池供电系统中仅吸取 50uA 电流
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飞兆半导体微型以封装高效产品应对DC-DC设计挑战
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英飞凌推出25V OptiMOS™ 调压MOSFET 和 DrMOS系列，使典型服务器的能效达到93%
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德州仪器推出具有同步整流器输出控制功能的全新环保型相移全桥控制器
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Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®规定的新款器件
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双输出、多相降压型 DC/DC 控制器与 Power Block 和 DrMOS 器件运行
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德州仪器推出具备板载功率 MOSFET 的全集成型Fusion Digital PowerTM 双路功率驱动器
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