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飞兆半导体 20V 单 P 通道 PowerTrench® MOSFET 改善便携式设备电池充电和负载开关

设备提供轻薄包装和低闸(门极)漏电流
2012-08-09

 

    帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)经扩大了其mosfets/powertrench.html"> P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线。

FDMA910PZFDME910PZT具备MicroFET™ MOSFET 包装,并按照它们的物理尺寸(2X 2 mm 和1.6 X 1.6 mm) 提供卓越热性能,让它们完全匹配开关和线性模式应用。  在20V 的额定电压下,设备提供低通路电阻。为预防静电放电(ESD) 失败,FDMA910PZ 和FDME910PZT  装有优化稳压二极管保护设备,这也将使最大额定IGSS 泄漏从10μA 降至1μA。

 

获取详情,订购样品,请访问:

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html

 

特色及优势:

 

FDMA910PZ

 

·        最大RDS = 20 mΩ,需VGS = -4.5V,ID = -9.4 A

·        最大RDS = 24 mΩ,需VGS = -2.5V,ID = -8.6 A

·        最大RDS = 34 mΩ,需VGS = -1.8V,ID = -7.2 A

·        低配置-配备HBM ESD 保护的MicroFET 2 X 2 mm 包装最大为0.8 mm

级别> 2.8kV 标准

 


PDME910PZT

 

·        最大RDS= 24mΩ,需VGS = -4.5 V,ID = -8A

·        最大RDS= 31mΩ,需VGS = -2.5 V,ID = -7A

·        最大RDS= 45mΩ,需VGS = -1.8 V,ID = -6A

·        低配置:配备HBM ESD 保护的MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包装最大为0.55 mm

级别> 2kV 标准

 

FDMA910PZ 和FDME910PZT均不含卤化物和氧化锑,并且为RoHS 兼容。两种设备都提供低电压安全操作,并适用于手机和便携式设备

 

飞兆半导体是移动科技领导者,可提供大量模拟和电源IP 系列产品,并可定制以满足特殊设计需求。飞兆半导体通过将领先的电路技术集成在微型高级包装中,为便携产品用户提供重要的优势,同时能够减小设计的尺寸、成本和功耗。飞兆半导体的便携IP 已用于现今大部分手机中。

 

飞兆半导体:解决方案助您成功!

 

价格:订购1,000个

FDMA910PZ:          每个0.36美元

FDME910PZT: 每个0.33美元

 

供货:按请求提供样品

 

交货期: 收到订单后8至12周内

 

编辑注:产品的PDF 格式数据表可从此网址获取:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA910PZ.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME910PZT.pdf

 

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