针对传统LDO过流保护电路因检测管与功率管VDS失配、沟道长度调制效应导致的保护精度低、版图面积大等问题，提出一种利用封装键合线电阻直接采样负载电流的新型过流保护电路。将封装键合线电阻作为电流-电压转换元件，从根本上消除了MOSFET二阶效应对检测精度的影响；建立了过流保护阈值的精确解析表达式，保护点可通过设计参数准确计算；省去传统方案检测管、采样电阻及修调电路，版图面积降低约12%~15%。基于0.18 μm CMOS/BCD工艺的仿真结果表明，理论偏差小于2.4%，工艺角偏差±2.4%，全温域偏差±3.0%(-40 ℃~85 ℃)，较传统电流镜检测方案精度有所提升，其响应时间为2 μs，适配工业级LDO应用。
