《电子技术应用》
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一种宽输入范围8 bit循环TDC
来源:电子技术应用2014年第1期
朱昆昆,李斌桥,徐江涛
天津大学 电子信息工程学院,天津300072
摘要: 设计了一种适用于时域ADC的基于电容-比较器型TDA的循环TDC。循环TDC重复使用单增益级可降低量化时间差量器件的匹配需求,可克服传统延时线TDC中大量延时线变换引起的时间不确定性。同时,循环结构只占用较小的芯片面积而更加适用于片上系统。循环TDC采用不加校准的电容-比较器型TDA来增加线性输入范围,TDA以小于2%的增益误差来放大时间差量。通过0.18 μm标准CMOS工艺完成了电路设计和仿真,在1.3 MS/s的采样速率下,TDC获得了±20 ns输入范围和8 bit的分辨率,INL和DNL分别是-1.671/+1.59 LSB和-0.5/+0.604 LSB。
中图分类号: TN47
文献标码: A
文章编号: 0258-7998(2014)01-0034-04
A wide input range 8 bit cyclic TDC
Zhu Kunkun,Li Binqiao,Xu Jiangtao
School of Electronic and Information Engineering, Tianjin University,Tianjin 300072,China
Abstract: A cyclic TDC with a capacitor-comparator TDA is proposed for time-based ADC application. The use of the conversion stage repeatedly reduces the matching requirements on components used to quantize a time difference. This feature is used to overcome the time uncertainties caused by component variation in the large delay lines used in the traditional TDC. The cycle structure occupying small size is suitable to use in the on-chip system. The cyclic TDC utilizes the capacitor-comparator TDA without calibration to enlarge the linearity input range. The capacitor-comparator TDA amplifies the time difference with the gain of less than 2%. The cyclic TDC is designed and simulated in a 0.18 μm CMOS technology achieving ±20 ns input range and 8 bit resolution at a sample rate of 1.3 MS/s. The simulated INL is -1.671/+1.59 LSB and DNL is -0.5/+0.604 LSB.
Key words : cyclic TDC;TDA;time-based ADC

    TDC(时间数字转换器)可应用在很多领域,如DPLL/APLL的相位、频率检测[1]以及雷达和相控阵系统[2]。TDC与VTC(电压时间转换器)结合被广泛应用在时域ADC的设计中[3-5]。千兆采样率的TDC通过复用串/并行的延时线实现数据转换功能[3],但是需要片上DAC来校准较低的分辨率。大延时线TDC[4]的主要问题是折叠延时线会带来器件的匹配误差。循环脉宽缩减TDC[5]由于包括大量不均匀的门单元,将消耗大量芯片面积而且会限制转换速率。相比于传统的延时线TDC,本文提出的循环TDC通过重复使用单增益级来克服器件变化带来的时间不确定性,且循环结构可获得小尺寸和低功耗,更适用于片上系统。
    循环TDC的重要组成部分是TDA(时间差量放大器)。TDA可增强TDC分辨率并且扩宽时间测量电路的输入范围,增加转换增益[6]。S-R锁存型TDA[7]和交叉双列延迟链TDA[8]限制了输入范围和转换的线性度。本文的电容-比较器充放电TDA在不使用校准电路时即可获得需求的增益和较大的输入范围。
1 循环TDC
1.1 循环TDC的工作原理

    图1为循环TDC的结构框图,时域循环TDC的余量图如图2所示。


式中,±TR为TDC的转换范围。循环TDC电路原理图如图3所示。当多路选择器MUX被电路复位信号TDC_Rst复位之后,输入时间信号Tin1和Tin2将分别初始化In1和In2。其中,Tref是延时单元,将决定循环TDC的量化范围。由传输特性可知,Tref=0.25TR。整个循环TDC的转换范围为±TR,本文设定Tref=5 ns,则量化范围即为±20 ns。相位检测器PD将会检测信号变化的差值。这种类型的PD具有消除建立/保持时间、进行失调检测和快速锁存的操作特性[9]。PD检测In1+Tref和In2(或者In2+Tref和In1)的上升沿并决定DTC的输出。TDA对时间余量放大后将新的时间差返回多路选择器MUX的输入端,进行新一轮的时间量化。转换过程一直持续到Finish_Rst信号产生。所有的时序信号都是由初始时间量Tin1和Tin2产生。

    DTC的电路结构如图4所示,对称输入结构可以实现式(1)的输入/输出关系,这种设计适用于差分TDA,可消除匹配误差。

    表1为DTC的真值表。DTC在完成时间差量的输出后产生复位信号Rst1和Rst2,CH和CL通过逻辑电路得到对应的码值C1和C0。

   
1.3 读出电路
    RSD_TOP读出电路如图7所示。每次转换的C0和C1将被按错位相加进行操作和存储。Read信号由DTC产生,并作为读出电路的时钟信号。当转换达到所需要的精度时,将产生rst复位信号,并复位整个读出电路。

2 仿真结果
    通过0.18 μm标准CMOS工艺完成了电路设计仿真。图8显示了TDA的输入和输出关系。TDA的电流为15 μA,电容值为500 fF,仿真时间输入从0~20 ns变化,步进为1 ns。传输曲线显示在使用区域的结果是线性的。图9为不同测试情况下的TDA增益变化。
    在小于20 ns输入时间时,TDA的增益误差小于2%,

    图11为TDC的INL和DNL仿真,其值分别为-1.671/+1.59 LSB和-0.5/+0.604 LSB。TDA的误差累积是限制线性度的主要因素。如果TDA的增益可以很精准,那么TDC的线性度和精度可以得到进一步的提高。

 

 

    表2所示为本文与参考文献[1]和[10]中提到的TDC的工作性能比较。本文提出的循环TDC在不进行校准时可实现大输入范围和高精度。
    本文设计并仿真了一种±20 ns输入范围的8 bit循环TDC。该TDC使用电容-比较器型TDA来扩展输入范围,并重复使用单增益级来完成数据转换。通过0.18 μm标准CMOS工艺完成了电路设计和仿真,在1.3 MPS/s的采样速率下,功耗为0.951 mW,仿真的INL和DNL分别是-1.671/+1.59 LSB和-0.5/+0.604 LSB,输入范围可以扩展到±20 ns。本设计的基于电容-比较器型TDA的TDC适用于时域ADC。
参考文献
[1] KRATYUK V,HANUMOLU P K,OK K,et al.A digital PLL with a stochastic time-to-digital converter[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems I:Regular Papers,2009,56(8):1612-1621.
[2] 程翔.11位数控延迟线组件的设计[J].微型机与应用,2013,32(6):27-29.
[3] MACPHERSON A R,TOWNSEND K A,HASLETT J W.A2.5 GS/s 3-bit time-based ADC in 90nm CMOS[C].2011 IEEE International Symposium on Circuits and Systems  (ISCAS),Rio de Janeiro,2011:9-12.
[4] DUDEK P,SZCZEPANSKI S,HATFIELD J V.A high resolution CMOS time-to-digital converter utilizing a Vernierdelay line[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits Solid State Circuits,2000,35(2):240-247.
[5] CHEN C C,Lu Wenfu,TSAI C C,et al.A time-to-digital converter-based CMOS smart temperature sensor[J].IEEE  Journal of Solid-State Circuits,2005,40(8):1642-1648.
[6] ALAHMADI A N M,RUSSELL G,YAKOVLEV A.Time  difference amplifier design with improved performance parameters[J].Electronics Letters,2012,48(10):562-563.
[7] MINJAE L,ABIDI A A.A 9b,1.25ps resolution coarse fine time-to-digital converter in 90 nm CMOS that amplifies a time residue[C].2007 IEEE Symposium on VLSI Circuits,Rio de Janeiro,2007:168-169.
[8] MANDAI S,CHARBON E.A 128-channel,8.9-ps LSB,column-parallel two-stage TDC based on time difference amplification for time-resolved imaging[J].IEEE Transactions  on Nuclear Science,2012,59(5):2463-2470.
[9] LEE S K,PARK S J,PARK H J,et al.A 21 fJ/conversion-step 100 kS/s 10-bit ADC with a low-noise time domain comparator for low-power sensor interface[J].IEEE  Journal of Solid-State Circuits,2011,46(3):651-659.
[10] LIN W F,CHOU H P.A fast single slope ADC with  vernier delay line technique[C].2009 IEEE in Nuclear Science Symposium Conference Record:Orlando,FL,America,2009:313-317.

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