Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。

1、 静态特性

（1） 输出特性

　　输出特性即是漏极的伏安特性。特性曲线，如图2(b)所示。由图所见，输出特性分为截止、饱和与非饱和3个区域。这里饱和、非饱和的概念与GTR不同。饱和是指漏极电流ID不随漏源电压UDS的增加而增加，也就是基本保持不变；非饱和是指地UCS一定时，ID随UDS增加呈线性关系变化。

（2） 转移特性

　　转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的转移特性关系曲线，如图2(a)所示。转移特性可表示出器件的放大能力，并且是与GTR中的电流增益β相似。由于Power MOSFET是压控器件，因此用跨导这一参数来表示。跨导定义为

                          （1）

　　图中UT为开启电压，只有当UGS=UT时才会出现导电沟道，产生漏极电流ID。

2、  主要参数

（1）漏极击穿电压BUD

　　BUD是不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值。BUD随结温的升高而升高，这点正好与GTR和GTO相反。

（2）漏极额定电压UD

　　UD是器件的标称额定值。

（3）漏极电流ID和IDM

　　ID是漏极直流电流的额定参数；IDM是漏极脉冲电流幅值。

（4）栅极开启电压UT

　　UT又称阀值电压，是开通Power MOSFET的栅-源电压，它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。

（5）跨导gm

　　gm是表征Power MOSFET 栅极控制能力的参数。