5月18日消息，据韩国媒体ETnews报道，三星电子正在开发一种独特的封装技术，试图将目前仅用于AI服务器的高带宽内存（HBM）引入智能手机和平板电脑，目标是在不显著增加空间占用和功耗的前提下，大幅提升移动设备的端侧AI能力。

传统移动DRAM通常采用铜线键合技术，但其I/O端子数量仅有128至256个，在提升效率和降低发热时容易产生严重的信号损耗。为突破这一瓶颈，三星计划融合两项关键技术：超高长宽比铜柱与扇出型晶圆级封装（FOWLP），使HBM能够在移动设备中顺利运行。

三星自主研发的垂直铜柱堆叠（Vertical Copper Post Stack，简称VCS）技术，通过将DRAM以阶梯式结构堆叠，并用铜柱填补间隙，实现了在有限空间内的HBM堆叠与运行。目前，三星已将VCS封装中铜柱的长宽比从此前的3:1至5:1大幅提升至15:1至20:1，以此提高带宽表现。

然而，长宽比的提高意味着铜柱直径变得更细，当直径低于10微米时，铜柱可能出现弯曲甚至断裂的问题。此时，FOWLP技术便成为关键——它通过向外延伸铜线结构，在提高整体结构强度与可靠性的同时，还能增加I/O端子数量，进一步带来约30%的带宽提升。

由于移动版HBM尚处于开发阶段，具体商用时间尚未确定。从目前规划节奏来看，三星最快可能在Exynos 2800中率先导入这项技术。据传，Exynos 2800将是三星首款搭载自研GPU的SoC；另一个可能的落地节点则是后续的Exynos 2900处理器。

此外，有传闻称苹果正在研究将HBM技术引入iPhone，但尚不确定是否会向三星采购相关方案；华为同样在探索这项技术，不过三星是否愿意进入中国OEM厂商供应链，仍存在较高不确定性。