面对能源紧缺挑战 飞兆半导体续写辉煌
2008-05-16
作者：裴 瞳
众所周知，随着经济的发展，能源已变得越来越紧缺，因此节能和开发高能效" title="高能效">高能效产品是当今世界的一个重要挑战。飞兆半导体" title="飞兆半导体">飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）被誉为“硅谷之父”， 拥有卓越的创新历史，这个传统一直延续到今天。作为先进的高能效功率产品及解决方案供应商，其“功率专家（The Power Franchise）”的头衔早已为大家所熟知，飞兆半导体的产品也已经能够优化各种应用的能效，包括电源、移动设备、照明、电机、计算、消费产品和汽车等多个领域，其客户均为像宏基(Acer)、苹果(Apple)这样的业界领先企业。2008年3月18日～20日在上海举行的慕尼黑电子展上，飞兆半导体携多款高能效解决方案精彩亮相。为此，本刊记者专程采访了飞兆半导体公司" title="飞兆半导体公司">飞兆半导体公司企业市场总监Claudia Innes女士。
电能紧缺的世界
Claudia Innes女士介绍说：“目前，美国和中国是全球最大的能源消耗国，发展中国家的不可再生能源消耗速度在加快。从2004年至2030年，全世界总能耗预计将会增长57%。”谈到飞兆半导体针对这一问题的举措时，Claudia Innes女士说：“由于温室气体排放和逐渐减少的资源，加剧了人们对环境的关注。政府和机构正在强制执行条例法规，OEM厂商要求采用更高能效的解决方案，这就促使飞兆半导体更加努力地提高产品能效，以满足多种需求。”
新器件——提高感应加热应用的效率并增强系统可靠性
Claudia Innes女士向记者介绍了飞兆半导体新推出的Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD。 她说：“这些新器件可为电磁感应加热应用的系统设计人员提供高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop(场截止)结构和抗雪崩的Trench Gate(沟道栅)技术，可在传导损耗和开关损耗" title="开关损耗">开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比，FGA20N120FTD可减小25%的导通损耗、8%的开关损耗，并可大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(ZVS)技术而优化的快速恢复二极管(FRD)，进一步提高了可靠性。” Claudia Innes女士还强调说：“飞兆半导体的FGA20N120FTD和FGA15N120FTD一致的参数分布和已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效率。这正是利用飞兆半导体创新的Field Stop结构和专有的先进Trench Gate单元设计的成果。”
新模块——协助电源满足能源之星规范的严格要求
飞兆半导体公司还为电源设计" title="电源设计">电源设计人员推出一款Power-SPM模块FPP06R001，它的高效性有助于电源设计满足下一代能源之星标准的要求，即电源在正常输出负载条件下必须达到85% 或更高的效率。Claudia Innes女士说：“Power-SPM FPP06R001是高度集成的同步整流器模块，可协助电源设计提高效率、增强系统稳健性并节省空间。该器件在紧凑的传递模塑封装中集成了2个PowerTrench?誖MOSFET和1个大电流栅极驱动器，能够简化电路板设计，省去多达10个分立元件，并减少板上占用空间达20%。与分立式解决方案比较，还可降低10% 的导通阻抗和16% 的杂散电感，从而减小热耗散和电压应力。”
Claudia Innes女士最后强调说：“节能和提高能效与我们的生活密不可分，与每个人息息相关。飞兆半导体会继续专注于设计和开发高能效产品，以协助建立一个更环保的世界；我们也将继续与各大电子产品制造商密切合作，深入了解新功率环境的功耗挑战，并致力于开发创新技术以突破能效方面的障碍，把辉煌继续下去。