意法半导体第 21 年发布可持续发展报告

意法半导体第 21 年发布可持续发展报告

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体（ STMicroelectronics ，简称 ST ；纽约证券交易所代码： STM ）发布 了2018 年可持续发展报告。 该报告包含意法半导体2017年可持续发展的实施细节与重要成果，并提出其在可持续发展方面的计划和2025目标， 陈述了公司为联合国全球盟约十项原则和可持续发展目标所作的贡献。

发表于：2018/5/28 下午6:03:30

工业4.0 非易失性数据记录

工业4.0 非易失性数据记录

减少停机时间的能力是管理工业设施的重要因素。目前，预测停机时间难度较大且成本非常昂贵。比如，普通汽车制造厂的停机时间可能高达每分钟22,000美元或每小时130万美元（来源：先进技术服务，2006年：“汽车行业停机成本：每分钟22000：调查。”）。

发表于：2018/5/28 下午5:59:29

为何Cortex-M处理器运行不了linux

为何Cortex-M处理器运行不了linux

单片机与应用处理器的核心区别到底是什么呢？是核心主频的差异？还是Linux系统的支持？又或者是处理器的架构？本文将以NXP的Cortex-M系列为例做简要介绍。

发表于：2018/5/26 下午9:15:46

三极管驱动蜂鸣器这些“陷阱”要小心！

三极管驱动蜂鸣器这些“陷阱”要小心！

　　蜂鸣器是我们在电路设计中使用的最常见的一种预警发声器件，我们常使三极管的工作于开关状态来驱动它。然而越简单的电路，很多人在设计时往往越容易忽略细节，导致实际电路中蜂鸣器不发声、轻微发声和乱发声的情况发生。

发表于：2018/5/26 下午9:10:20

如何确保异常掉电引发的数据安全

如何确保异常掉电引发的数据安全

可靠性是每一个产品的灵魂，如果一个产品可靠性不好，那它就是一个失败的产品，因为客户不会使用存在风险的产品，然而产品的可靠性不仅受到上下电、复位等内部因素影响，还会被供电的突然关断、工作环境等外部因素干扰。产品的控制系统对突然断电的反应和保护措施是判断产品可靠性的重要标准。

发表于：2018/5/26 下午8:49:27

ZigBee如何快速一键自组网？

ZigBee如何快速一键自组网？

　　ZigBee技术作为物联网领域最常用的无线技术，经常受限于协议栈开发难、组网过于繁琐等问题而难以应用，这里将为您介绍ZigBee如何快速一键自组网？ 　　ZigBee技术作为物联网领域最常用的无线技术，目前在智能家居、农田智能管理、节能应用等行业得到大量应用。为方便大家利用ZigBee进行项目开发，今天对ZigBee协议栈及组网相关知识做个分享。

发表于：2018/5/26 下午8:43:09

Synopsys IC Validator获得GLOBALFOUNDRIES 14LPP物理验证Signoff认证

Synopsys IC Validator获得GLOBALFOUNDRIES 14LPP物理验证Signoff认证

全球第一大芯片自动化设计解决方案提供商及全球第一大芯片接口IP供应商、信息安全和软件质量的全球领导者Synopsys（NASDAQ：SNPS）宣布，Synopsys IC Validator工具已获得GLOBALFOUNDRIES（GF）认证，将用于GF 14LPP工艺技术的物理验证Signoff。凭借此Signoff认证，设计工程师可以借助IC Validator的快速性和可扩展性，实现高水平的可制造性和最大生产量。目前GF可以提供各种认证的运行集，包括DRC、LVS和金属填充技术文件。

发表于：2018/5/26 下午8:35:58

泰科电子（TE Connectivity ）汽车事业部苏州生产基地再扩大

泰科电子（TE Connectivity ）汽车事业部苏州生产基地再扩大

近日，全球连接和传感领域领军企业泰科电子（TE Connectivity，以下简称“TE”，纽约交易所代码：TEL）中国汽车事业部苏州保税区外工厂（“NEPZ工厂”）二期正式开业。NEPZ工厂二期主要开发和生产和新能源汽车、智能网联汽车相关的零部件产品，包括连接器、线束、中央电器盒以及传感器等。NEPZ工厂二期扩建工程于2016年12月底启动，总投资金额近1亿美金。二期工厂的落成意味着TE汽车事业部苏州生产基地的总生产面积达到了95,000平方米，成为TE全球在单一城市最大的生产基地之一；也为TE加速本土化开发和生产、全面布局未来市场奠定了基础，以更好地帮助中国客户迎接行业的技术革新、实现可持续的发展。

发表于：2018/5/26 下午8:30:15

使嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工成为可能

使嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工成为可能

　　半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 (MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。

发表于：2018/5/26 下午8:23:20

UnitedSiC’s 1200 V Silicon Carbide FETs deliver industry’s highest-performance upgrade path for IGBT, Si and SiC-MOSFET users

UnitedSiC’s 1200 V Silicon Carbide FETs deliver industry’s highest-performance upgrade path for IGBT, Si and SiC-MOSFET users

Designers of Power Factor Correction stages (PFCs), Active Frontend Rectifiers, LLC converters and Phase Shift Full Bridge converters can now upgrade existing system performance by using the new UJ3C1200 series of SiC JFET cascodes from UnitedSiC. With a voltage rating of 1200 V and ON-resistances of 80 and 40 milliohms, these devices offer a ‘drop-in’ replacement solution for many existing IGBT, Si-MOSFET and SiC-MOSFET parts, with no change to gate drive circuitry. This simplifies design upgrades and provides an alternative-purchasing source for existing parts.

发表于：2018/5/26 下午8:19:00