新品快递 全差分放大器驱动 18 位 ADC 而功耗仅为 5mW 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低功率全差分放大器 LTC6362,该器件能仅以 1mA 的电源电流驱动高精准的 16 位和 18 位 SAR ADC。LTC6362 具 200uV 最大输入失调电压和 3.9nV/√Hz 输入参考噪声,非常适用于精准的工业和数据采集应用。 发表于:2012/5/3 下午1:49:23 Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。 发表于:2012/5/3 下午1:46:36 恩智浦推出业界首款支持全新超快速模式规格的I2C总线控制器 近日推出业界首款高性能I2C总线控制器,该控制器可以同时支持快速模式Plus (Fm+) 和全新的超快速模式(UFm) 规格,新规格的发送数据传输速率最高可达5 Mb/s。PCx966x系列产品为每个通道提供4.25-kB的超大数据缓存,可以大幅减少主机处理器的中断,并专门针对重复性、数据密集型LED控制器和步进马达(如游戏行业) 应用中的高效I2C设计而优化。 发表于:2012/5/3 上午11:15:25 怀格(Vicor)推出针对DC-DC变换的轨道交通应用的新滤波/输入衰减模块(FIAM) 怀格(Vicor)公司(NASDAQ代码:VICR)日前发布了两款新的针对轨道交通应用的滤波/输入衰减模块(Filtered Input Attenuator Module,FIAM)。新的FIAM110和FIAM072模块为车载设备和系统提供防护,使之免受电源线瞬变效应、电磁干扰(EMI)以及涌流的不利影响。 发表于:2012/5/2 下午5:03:25 Diodes新型 MOSFET离板高度减半 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为-25V的P通道器件,体积较同类器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度,较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。 发表于:2012/5/2 下午4:51:13 TriQuint不断扩展的增益模块产品系列为许多应用提供经济有效的宽带解决方案 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNT),推出一系列具有卓越效率,工作频率范围为DC至6 GHz的宽带、可级联达灵顿对放大器产品---TQP369180、TQP369181和TQP369182、TQP369184,以及TQP369185。作为中频和射频缓冲器增益阶段的通用增益模块,这些产品具有强大的性能,可应用在从基站收发器和中继器到有线电视和卫星电视系统、测试设备以及许多其他射频和微波系统的商业应用 。 发表于:2012/5/2 下午4:32:27 源科推出全球首款单芯片SATA DOM固态硬盘小源 日前,国内固态存储领域的领导者源科公司宣布推出全球首款单芯片SATA DOM固态硬盘“小源”,它是rSSD系列新增的一员“小”将。 发表于:2012/5/2 下午4:13:14 Synopsys将HAPS纠错可见度提升100倍 新思科技公司Synopsys日前宣布:为其HAPS®基于FPGA原型系统的用户推出新版的Deep Trace Debug深度追踪纠错软件。借助HAPS Deep Trace Debug,原型工程师可利用比传统FPGA片上逻辑纠错器所用的存储器高出将近100倍的信号存储容量。新的深度追踪纠错功能同时增强了容量和故障隔离性能,同时释放片上FPGA存储器来满足验证复杂的系统级芯片(SoC)设计之需求。 发表于:2012/5/2 下午3:59:04 Analog System Lab Kit PRO:模拟开发系统 MikroElektronika公司推出的Analog System Lab Kit PRO 模拟系统实验室套装是专门设计提供给学生和工程师一个平台,在此平台上可使用模块如OP运放,模拟乘法器,DA转换器,低压差电压调节器,晶体管,二极管等创建模拟系统。 发表于:2012/5/2 下午2:41:38 GLOBALFOUNDRIES Fab 8添置工具以实现20纳米及更尖端工艺的3D芯片堆叠 GLOBALFOUNDRIES近日宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已开始安装一套可在尖端20纳米技术平台上的半导体晶圆中构建硅通孔(TSV)的特殊生产工具。此举将使客户能够实现多个芯片的堆叠,从而为满足未来电子设备的高端要求提供了一条新的渠道。 发表于:2012/5/2 上午10:24:49 <…680681682683684685686687688689…>