新品快递 Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，继续扩展Super Junction FET®技术 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。 发表于：2010/1/27 上午12:00:00 德州仪器推出业界首款具有集成 FET 的 12 V 双通道同步降压转换器 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出首款双通道输出的完全同步 SWIFT™ 电源管理集成电路。该 TPS54290 1.5 A/2.5 A 转换器可简化采用 12 V 电源的消费类电子产品的电源设计，如机顶盒或数字电视等。 发表于：2010/1/27 上午12:00:00 英飞凌推出新一代多模HSPA+射频收发器SMARTiTM UE2 英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日宣布推出SMARTiTM UE2的样品。SMARTiTM UE2是适用于移动设备的新一代多带HSPA+/EDGE/GPRS射频收发器。它的突破性数字架构使功率放大器由5个减少至1个，并集成了所有LNA（低噪放大器）和级间滤波器。这使下一代智能手机能实现大幅度改进：相对于现有的解决方案，其射频占板空间缩小40%、拥有成本降低40%、能耗节省25%以上。 发表于：2010/1/27 上午12:00:00 用于高效率降压型或升压型 DC/DC 转换器的高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器具有强大的栅极驱动 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。 发表于：2010/1/27 上午12:00:00 Maxim推出用于汽车TV系统的通用调谐器 Maxim推出用于ISDB-T和DVB-T汽车系统的通用调谐器MAX2135。器件集成2路高性能信号通道，工作于单个分数N合成器。MAX2135采用小尺寸7mm x 7mm、TQFN封装，能够提供比使用2个分立的调谐器IC更为紧凑的方案。此外，器件具有极低的3.8dB (典型值) UHF噪声系数，两个信号通道都工作时功耗仅为330mW，仅一个通道工作时功耗仅为200mW。MAX2135集小尺寸封装、低功耗和低噪声特性于一体，可理想用于车载导航和娱乐系统。 发表于：2010/1/27 上午12:00:00 Intersil的新款电源模块攻克5个最困难的电源难题 全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司（纳斯达克全球精选市场交易代码：ISIL）今天宣布，推出紧凑、可扩展的电源模块ISL8200M。这个灵活的新模块为设计者提供了易用的通用电源解决方案，可满足各种各样负载点(POL)电源的要求。 发表于：2010/1/27 上午12:00:00 IDT推出DDR3内存模块高精度温度传感器 致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以最高效率运行，通过监测各子系统的温度来节省总电力，提高可靠性和性能。 发表于：2010/1/27 上午12:00:00 轨至轨单端至差分放大器驱动高速 16 位至 18 位 SAR ADC 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 33MHz、低噪声、轨至轨输入和输出的 ADC 驱动器 LT6350，该器件在仅 350ns 内就可稳定至 16 位。它适合驱动最新和最高性能的 SAR ADC (例如：LTC2393-16)。LT6350 含有两个运算放大器和匹配的电阻器，以从一个单端高阻抗输入产生一个差分输出。结果，无需外部反馈电阻器就可实现数值为 2 的差分增益，通过使用反馈电阻器，还可获得更高的增益。两个内部运放均可实现一个低的 1.9nV/Hz 输入参考噪声密度，从而产生仅为 8.2nV/Hz 的总输出参考噪声。LT6350 使高性能 ADC 能够在 1MHz 带宽上实现好于 110dB 的 SNR。 发表于：2010/1/26 上午12:00:00 英飞凌推出性能领先业界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大功率MOSFET 产品阵容 英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数（FOM），OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。 发表于：2010/1/26 上午12:00:00 Diodes推出偏压、控制及电源管理IC为 LNB 设计节省成本及化繁为简 Diodes公司针对单波段卫星低噪声模块 (LNB) 推出一款高集成偏压、控制及电源管理IC ZXNB4204。该器件可减少分立元件数量和PCB尺寸，同时提高性能和可靠性，妥善地处理场效应管 (FET) 及混频器偏置、通道检测和控制，为增加的LNB功能提供了一个稳定的电源。 发表于：2010/1/26 上午12:00:00 <…973974975976977978979980981982…>
