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英飞凌推出最新高性能微控制器系列PSOC™ Control MCU

2025年1月22日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出基于Arm® Cortex®-M33的最新高性能微控制器(MCU)系列PSOC™ Control。

发表于:2025/1/22 下午5:56:31

恩智浦发布EdgeLock A30,简化工业和物联网设备认证

中国上海——2025年1月22日——恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,纳斯达克股票代码:NXPI)近日宣布推出EdgeLock A30安全认证器,进一步扩大被广泛采用的恩智浦EdgeLock独立安全解决方案产品系列,继续致力于提供工业和智能家居能源管理创新系统解决方案。

发表于:2025/1/22 下午4:40:37

【回顾与展望】是德科技:向绿而行,推进可持续发展

可再生能源领域在 2025 年开局便展现出了四大显著的发展趋势。具体来说,就是数据管理将助推可持续发展领域积极拥抱AI技术;与此同时,向着可再生能源转型和发展的步伐将进一步加快;全球可再生能源发电领域也将继续刷新进度条;最后需要强调的一点是,政府的激励措施对于推动分布式能源的采用依然至关重要。是德科技企业社会责任总监 Michele Robinson 和是德科技可持续发展与 EHS(环境、健康与安全)全球总监 Claire McCarthy ,两位是德科技专家围绕上述重要话题分享了具有专业价值的见解和思考。

发表于:2025/1/22 下午1:55:21

中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功

1 月 22 日消息,功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为电力电子系统的心脏,是最为基础、最为广泛应用的器件之一。 中国科学院微电子研究所昨日宣布,该院刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作,共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅 (SiC) 功率器件及其电源系统,已搭乘天舟八号货运飞船并成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。案,牵引空间电源系统的升级换代。

发表于:2025/1/22 上午11:03:04

消息称Arm计划将授权许可费用涨价至高300%

1 月 21 日消息,据外媒 Sammobile 报道,Arm 正准备大幅度提高授权许可的费用(最高涨价 300%),此举将对三星 Exynos 芯片未来发展造成严重影响。

发表于:2025/1/22 上午10:52:33

Rapidus与IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圆亮相

Rapidus与IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圆亮相,在日试产4月启动

发表于:2025/1/22 上午10:42:06

传三星和LG拟将部分家电产线从墨西哥转向美国

据韩国经济新闻(Korea Economic Daily)1月21日报导,韩国三星电子和LG电子(LG Electronics)正考虑将部分家电产线从墨西哥厂转移至美国厂。

发表于:2025/1/22 上午10:32:40

OpenAI携手软银甲骨文等5000亿美元成立AI新公司Stargate

美国当地时间1月21日,美国新任总统特朗普宣布,OpenAI、软银、甲骨文(Oracle)等联合成立一家新的AI公司“Stargate”(星际之门),未来四年将投资5000亿美元,预计将创造10万个工作岗位。现在,该公司会立刻投资1000亿美元,用于建设AI基础设施。

发表于:2025/1/22 上午10:23:00

三星HBM3内存首次通过AMD MI300X中实现商用

1月21日消息,研究机构 TechInsights今天表示,其揭示了三星HBM3内存的首个商用实例,该内存集成在AMD的MI300X AI加速器中。 TechInsights称,三星于2023年8月宣布HBM3内存面世,其在商用产品中的部署对内存制造商和AI芯片制造商来说都是一个重要的里程碑。 据了解,MI300X拥有最多8个XCD核心,304组CU单元,8组HBM3核心,显存容量提升到了192GB,,同时HBM内存带宽高达5.2TB/s,Infinity Fabric总线带宽也有896GB/s。

发表于:2025/1/22 上午10:13:13

消息称三星将从头设计新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息,韩媒 ETNews 今日报道称,三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局,已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。 据悉该新版 12nm 级 DRAM 工艺项目名为 D1B-P(IT之家注:P 为 Prime 的简写),专注改进能效和散热表现,这与三星此前的第六代 V-NAND 改进版制程 V6P 采用了相同的命名逻辑。

发表于:2025/1/22 上午10:03:58

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