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英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

【2024年7月9日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能,确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测,未来五年GaN器件市场的年复合增长率(CAGR)将达到46%。

发表于:2024/7/10 下午1:26:00

英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense

【2024年7月9日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术:CoolGaN™双向开关(BDS)和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能,提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关,适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。

发表于:2024/7/10 下午1:23:47

意法半导体创新技术和方案亮相年慕尼黑上海电子展

2024年7月5日,中国上海 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 即将亮相于2024年7月8-10日举办的2024年慕尼黑上海电子展 (E4.4600展台)。

发表于:2024/7/10 下午1:15:00

消息称台积电下周试生产2nm芯片

消息称台积电下周试生产2nm芯片

发表于:2024/7/10 上午9:20:00

新思科技面向Intel代工推出可量产的多裸晶芯片设计参考流程

新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布推出面向英特尔代工EMIB先进封装技术的可量产多裸晶芯片设计参考流程,该流程采用了Synopsys.ai™ EDA全面解决方案和新思科技IP。该经过优化的参考流程提供了一个统一的协同设计与分析解决方案,通过新思科技3DIC Compiler加速从芯片到系统的各个阶段的多裸晶芯片设计的探索和开发。此外,新思科技3DSO.ai与新思科技3DIC Compiler原生集成,实现了信号、电源和热完整性的优化,极大程度地提高了生产力并优化系统性能。

发表于:2024/7/10 上午9:19:00

美国ITC判定英诺赛科专利侵权

美国ITC判定英诺赛科专利侵权,相关产品将被禁售! 7 月 8 日,氮化镓(GaN)技术厂商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)宣布美国国际贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)最新确认其两项关键专利有效,并且判定英诺赛科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.)和其子公司英诺赛科美国公司(Innoscience America, Inc.)(以下简称英诺赛科)侵犯了其中一项专利。

发表于:2024/7/10 上午9:18:00

2024年底CoWoS产能将达每月45000片晶圆

2024年底CoWoS产能将达每月45000片晶圆

发表于:2024/7/10 上午9:17:00

三星2nm制程与2.5D封裝获日本Preferred Networks订单

7月9日,韩国三星电子宣布,与日本AI芯片新创公司Preferred Networks达成合作,将为其提供2nm GAA制程以及2.5D Interposer-Cube S(I-Cube S)封装服务。三星称,其一站式服务解决方案将帮助Preferred Networks生产功能强大的AI芯片,满足生成式AI市场算力需求。双方还计划展示下代数据中心和生成式AI计算市场的突破性AI芯片解决方案。

发表于:2024/7/10 上午9:16:00

中科大在钙钛矿太阳电池方面破世界纪录

中科大在钙钛矿太阳电池方面破世界纪录:效率性能达26.7%

发表于:2024/7/10 上午9:15:00

蔚来汽车自研的智能驾驶芯片神玑NX9031已经流片

蔚来汽车自研的智能驾驶芯片「神玑NX9031」已经流片

发表于:2024/7/10 上午9:14:00

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