头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 2015年国内锂电设备市场规模将达75亿元 中国锂电池设备行业经过多年发展，取得了明显的进步，国产化率也不断提升。但是受国内基础工业落后、技术工艺积累时间短、管理水平较低的影响，设备行业发展水平整体与国外还是有较大差距。 发表于：2015/11/4 大电流放电实验系统中超级电容监控保护设计 对一种大电流放电实验系统中的超级电容进行监控保护设计。监控保护系统硬件结构由人机界面、智能电表、可编程逻辑控制器构成，能够实现实时参数及状态显示、单个超级电容详细参数及状态显示、系统自保护、超级电容预警联动、超级电容报警联动、超级电容设置、报警记录与事件记录查询等功能。另外，重点阐述了CAN通信实现、系统自保护实现、预、报警联动等关键技术的实现。工程运行结果表明，系统运行十分可靠，技术值得推广。 发表于：2015/11/3 国内外大功率IGBT驱动模块应用研究分析 目前，IGBT应用领域的驱动方案很多，现在市场上流行着很多种类非常成熟的IGBT驱动模块专用产品，各公司驱动模块都各有特点，但各个公司往往又因维护各自的知识产权，所以通用性较差，在驱动保护功能配置等方面也有不尽完善的地方，因此文章从各公司驱动器驱动性能、电参数、价格、外形尺寸、外围电路及应用领域等进行了详细的说明，为使用者提供参考，并为进一步推广IGBT驱动模块的应用打下基础，同时也为各同行积累经验。 发表于：2015/11/2 PWM技术专题 PWM控制技术就是以该结论为理论基础，对半导体开关器件的导通和关断进行控制，使输出端得到一系列幅值相等而宽度不相等的脉冲，用这些脉冲来代替正弦波或其他所需要的波形。按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制，既可改变逆变电路输出电压的大小，也可改变输出频率。 发表于：2015/11/2 基于带并联电抗器的大型火电机组核相新技术研究 针对出线侧带并联电抗器的大型火电机组进行并网核相试验时遇到的特殊问题，提出了以发电机作为核相电源，进行两待并系统核相的新方法。对试验方案进行仿真模拟，对试验过程中各电量的变化进行考查，并对各设备保护的定值整定和投入进行论证。最后在核相试验过程中采取综合措施顺利解决励磁系统参数配合问题，圆满完成核相试验。 发表于：2015/11/1 安森美半导体的先进音频处理SoC提供更优越的移动设备体验 2015 年 10 月28日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号： ON)，已推出最新的高分辨率音频处理系统级芯片(SoC)，具有1656KB 静态随机存储器(SRAM)和高电源能效的硬件加速功能，为智能手机、可穿戴配件和录音机等设备节省更多空间和延长电池使用时间。 发表于：2015/11/1 Diodes解码器集成电路 与高通QC 2.0协议兼容 实现手机快速充电 Diodes推出解码器集成电路AP4370，应用于配备了Quick Charge (简称QC) 技术的高通 (Qualcomm) 系统单芯片的手机、平板电脑及同类型消费性产品实现快速充电。 发表于：2015/11/1 魅族的新型 PRO 5 智能手机 采用 Fairchild 的 USB Type-C 解决方案 美国加州圣何塞 – 2015 年 10月29日 —全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天宣布其 FUSB302 产品被中国专业智能手机制造商魅族的最新型号PRO 5 智能手机作为关键元件而采用。该产品是业界第一个支持功率输出(Power Delivery, PD) 功能的可编程 USB Type-C 控制器系列产品。 发表于：2015/11/1 38V 双输出 DC/DC 控制器具电流模式控制、 mΩ 以下 DCR 检测、I2C/PMBus 接口和可编程环路补偿 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2015 年 10 月 29 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双输出电流模式同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3884，该器件具可编程环路补偿和基于 I2C 的 PMBus 接口。这款器件提高了电流检测信号的信噪比，以最大限度提高转换器效率和增加功率密度，因此允许使用 DC 电阻 (DCR) 非常低 (0.3mΩ) 的功率电感器。 发表于：2015/10/31 ROHM开发出80V级高耐压DC/DC转换器“BD9G341AEFJ” 【ROHM半导体（上海）有限公司10月27日上海讯】全球知名半导体制造商ROHM面向需要大功率（高电压×大电流）的通信基站和工业设备领域，开发出耐压高达80V的MOSFET内置型DC/DC转换器 “BD9G341AEFJ”。 发表于：2015/10/31 <…777778779780781782783784785786…>
