头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 基于PLC在矿用隔爆型馈电开关控制系统中的应用 针对矿用隔爆型馈电开关控制系统的特点，UniMAT亿维公司开发了专用矿用三相交流电及漏电监测模块，用于三相电测量，可实现相电压、电流，零序电压，零序电流和漏电电阻等指标的测量。结果表明采用UniMATCPU224+矿用三相交流电及漏电监测模块的方式不仅降低了成本，而且达到了国标所要求的漏电保护标准，简化了配置方案，优化了程序设计，并且很容易的将方案从基本的KBZ630Z型升级到更高要求的KBZ800Z和KBZ1000Z等型号，拓展开去， 发表于：2013/1/17 飞兆半导体的二合一功率开关封装解决方案 提供更高的效率和系统可靠性 由于当今的消费类电子产品和家用电器变得越来越复杂，因此它们需要更佳的性能和可靠性。 这些类型的开关模式电源(SMPS)系统的设计人员需要节省空间、经济实惠且符合严格能源法规的高能效电源解决方案。 飞兆半导体的(Fairchild Semiconductor)FSL1x系列FPS™绿色模式电源开关有助于设计人员解决这些挑战。 发表于：2013/1/15 数字电路如何抗干扰 在电子系统设计中，为了少走弯路和节省时间，应充分考虑并满足抗干扰性的要求，避免在设计完成后再去进行抗干扰的补救措施。形成干扰的基本要素有三个。 发表于：2013/1/15 巧用差分阻抗公式求近端串扰 从串扰的原理及串扰和差分阻抗之间的内在联系出发，通过模型变换和公式推导，给出了近端串扰系数和差分阻抗之间的关系式。再以平衡结构的带状线为例，得到了平衡结构带状线的近端串扰的估算公式。在相同条件下与Hyper Lynx仿真软件结果进行比较，验证发现估算结果与仿真结果基本符合。 发表于：2013/1/15 IR推出40V IR4311M 和IR4312M 以扩充PowIRaudio集成式功率模块系列 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR4311M 和IR4312M，以扩充PowIRaudio™ 集成式功率模块系列。全新40V IR4311M 和IR4312M为低功率D类音频应用提供紧凑的解决方案，且不用添加散热器，这些应用包括桌面音频系统、有源扬声器和配备集成放大器的乐器等。 发表于：2013/1/14 OnSemiNPC133760W适配器参考设计方案 OnSemi公司的NCP1337是一款结合电流模式调节器和退磁检测器的芯片，以充分确保边界线/临界传导模式在任何负载/传输线条件连同最低漏电压开关（准-谐振操作）。因为Soxyless概念，变压器铁心重置检测在内部完成，没有使用任何外部信号。根据CISPR-22EMI限制标准，内部频率被限制于130kHz，防止控制器操作达到150kHz。该芯片具有过载保护重启功能，一旦过载，设备会自动重启恢复。本文主要介绍NCP1337芯片、芯片特性、应用方向及内部 发表于：2013/1/14 瑞萨电子推出锂电池充电控制IC，可支持大电流快速充电 全球领先的半导体及解决方案提供商瑞萨电子株式会社（TSE：6723），今天宣布专为采用锂电池的移动设备而（如数码相机和智能手机等）开发的R2A20057BM锂电池充电控制器IC正式上市。作为业界封装尺寸最小的充电IC之一，R2A20057BM集成了降压型DC-DC转换器（BUCK convertor），支持2A大电流充电。 发表于：2013/1/11 ADIADP2384/ADP2386降压DC－DC控制器参考方案 ADI公司的ADP2384/ADP2386是两款4mm×4mmLFCSP封装的高效、同步降压DC/DC稳压器，内部集成一个44mΩ的高边检测功率MOSFET及一个11.6mΩ（ADP2384）、11mΩ(ADP2386)的同步整流MOSFET器件。为了实现杰出的稳定性和瞬态响应特性，该器件采用峰值电流模式，固定频率脉宽调制控制方案。 发表于：2013/1/11 Intersil推出新的支持单节锂池供电的升压转换器 全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司（纳斯达克全球交易代码：ISIL）今天宣布，推出具有卓越功率密度与效率的升压转换器产品系列--- ISL9113。这些新升压转换器产品非常适用于由单节锂离子电池供电并支持USB OTG功能的产品。 发表于：2013/1/10 MOS芯片的ESD保护电路设计 随着CMOS集成电路产业的高速发展，越来越多的CMOS芯片应用在各种电子产品中，但在电子产品系统的设计过程中，随着CMOS工艺尺寸越求越小，单位面积上集成的晶体管越来越多，极大地降低了芯片的成本，提高了芯片的运算速度。 发表于：2013/1/10 <…934935936937938939940941942943…>
