微波射频相关文章 基于USB2.0的高性能移动存储设备的设计 本文在充分研究USB2.0协议、Bulk-Only传输协议和SCSI指令规范的基础上，设计出USB2.0高性能移动存储设备。本文作者创新点：将FLASH作为数据采集系统中的存储单元，应用在与计算机交互数据的采集过程之中；并采用中断驱动设计固件程序，提高了读写效率。实验证明，其性能稳定可靠，读写数据速度达到了令人满意的效果。移动数据的交换和存储是目前IT行业的热点，可以在此基础上，不断完善现有设计方案，继续研究开发嵌入式USB主机系统，使得在PC机不参与的情况下同样可以进行数据的存储与交换。 发表于：2/10/2011 电容器测试的挑战与方案 电容器是基本的电气元件，它出现在几乎任何一种电子硬件中。电容器广泛用于旁路、耦合、滤波和隧道电子电路。但是，为了使用电容器，就必须分析其电容量、额定电压、温度系数和漏电阻等特性。虽然电容器制造商进行这些测试，但是许多电子器件制造商在将电容器应用到产品中时，也要进行上述某些测试来检查质量。 发表于：2/4/2011 晶体管PC参数测量仪DIY详解 本文介绍了用洞洞板作了一个PC机晶体管图示参数测试仪。 发表于：2/4/2011 2010年光模块市场增长30% 昨日据市场研究公司LightCounting发布新闻称，2010年全球用于通信和数据网络的光收发模块销售额超过25亿美元，相比前年增长了30%。 发表于：2/4/2011 慢速内存和快速内存可“合二为一” 美国北卡罗莱纳州立大学研究人员开发出一种新器件，该技术被认为是计算机内存研发领域取得的重大进步，将使大规模服务器群更节能，并使计算机的启动变得更快。 发表于：2/4/2011 深度解析固态存储SSD的发展及应用 随着人们对数据需求增多，存储系统的瓶颈越来越明显。而在嵌入式领域移动设备和工业自动化控制等恶劣环境下，传统硬盘机械结构已经无法满足要求，而所有这一切随着固态存储（SSD）的到来改变。 发表于：1/29/2011 能够满足大容量存储应用需求的新型串行闪存 针对需要128Mb以上串行闪存的应用要求，美光科技推出一个简单的独一无二的扩容解决方案。这个解决方案可以把存储容量轻松地扩大到4G或更大，完全兼容现有的串行外设接口（SPI）协议，无需重新设计主芯片的硬件。 发表于：1/29/2011 MEMS两位数增长将持续到2014年 微机电系统(MEMS)市场2010年强劲增长，营业收入同比增长18.3%。但据IHSiSuppli公司的最新研究，这只是MEMS和传感器市场新一轮两位数增长周期的开始，其增长趋势将持续到2014年。 发表于：1/28/2011 平板电脑为DRAM带来增长支撑点 据IHSiSuppli公司的研究，2011年平板电脑将极大地促进DRAM产业的发展，预计今年该领域的DRAM出货量将增长八倍。今年平板设备领域的DRAM出货量预计达到3.533亿Gb，比2010年的3780万Gb剧增834.7%。 发表于：1/28/2011 Vishay推出新款PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的宽温范围内具有1.0～2.5W的高功率等级。 发表于：1/27/2011 DRAM内存价格接近谷底 二季度回涨 来自存储芯片调研公司集邦科技的消息称，1月上半个月DRAM期货价已经接近谷底，下半个月价格可能持平或继续小幅下滑，然后在二季度开始回涨. 发表于：1/27/2011 电感、电解电容 2011年行情和价格双双看涨 厂商并未看涨2011年所有元件的价格，例如OVP元件就被多数厂商认为会保持稳定价格，而针对铝电解电容市场，TDK-EPC集团成员爱普科斯大中华区铝电解电容产品市场总监刘权旺表示，铝电解电容器的价格将呈上升华强电子网电子元器件资讯提供最新的电子资讯，元器件资讯，LED资讯，IC资讯，非IC资讯，展会信息，这里是您了解最新的电子元器件信息的最佳平台。 发表于：1/27/2011 联华电子第四季度净利润增46% 联华电子(UnitedMicroelectronicsCorp.,UMC)日前公布，受晶圆发货量强劲增长提振，去年第四季度净利润增长46%。但该公司表示，美国和新兴市场经济的不确定性可能令今年芯片需求受到抑制。 发表于：1/27/2011 芯片封装技术详解 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上... 发表于：1/27/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有业内P沟道器件的最低导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 发表于：1/26/2011 «…134135136137138139140141142143…»
