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三星DRAM二季度合约价将再涨30%
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美国团队研发出超耐高温新型存储芯片
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苹果正在高价囤积移动DRAM
发表于：2026/4/3 上午11:22:10
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美光称存储制造设备产能不足成新瓶颈
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存储双雄加码混合键合技术 或用于下一代HBM生产
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TurboQuant与RaBitQ技术上相似吗？
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图解历史上的存储超级周期是如何演绎的
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美光尝试垂直堆叠GDDR内存 在GDDR与HBM间开辟新路
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TrendForce预计2026年全球笔记本电脑出货将下滑14.8%
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三星西安晶圆厂升级完成 实现236层V8 3D NAND闪存量产
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铠侠与SK海力士突遭美国337调查
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让存储芯片暴跌的谷歌论文被指学术不端
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存储芯片短缺 索尼存储卡暂停接单
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三星与SK海力士加速中国工厂扩产
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SK海力士与ASML达成80亿美元EUV光刻机采购协议
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美光：每辆L4级自动驾驶汽车将需要超过300GB内存
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SK海力士HBM4E被曝拟引入台积电3nm工艺
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美光确认正在基于1γ DRAM开发HBM4E
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三星电子宣布2026年向AI半导体领域投资逾110万亿韩元
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反转 美光与三星恢复存储芯片长期合约谈判
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美光科技宣布HBM4批量出货
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SK集团称DRAM短缺将持续至2030年
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存储缺芯持续 两大手机厂商宣布涨价
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英伟达联手三星入局内存研发
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PC衰退成共识 IDC预计2026年出货下降11.3%
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