头条 Gartner：2024年全球半导体收入增长21% 根据Gartner的最终统计结果，2024年全球半导体总收入为6559亿美元，较2023年的5421亿美元增长了21%。同时，英伟达超越了三星电子和英特尔，首次跃居首位。 Gartner研究副总裁Gaurav Gupta表示：“前十大半导体厂商收入排名变动的主要原因在于强劲的AI基础设施需求以及73.4%的内存收入增长。英伟达之所以能够跃至首位，主要在于其独立图形处理单元（GPU）需求显著增长，GPU已成为数据中心AI工作负载的首选。” Gupta表示：“供需失衡引起价格大幅反弹，三星电子的DRAM和闪存收入增长，得以继续保持在第二位。英特尔2024年的半导体收入仅增长了0.8%，原因在于其主要产品线面临的竞争威胁正在加剧，而且英特尔未能把握AI处理需求强劲增长这一机遇。”2023-2024年全球排名前十半导体厂商收入（单位：百万美元） 最新资讯 Arm：AI时代 芯片设计需要一场深度变革了！ Arm：AI时代 芯片设计需要一场深度变革了！ 曾经，摩尔定律是推动芯片设计飞速变革的隐形推手，但如今随着物理和经济极限的逼近，它已渐渐不再适用。 尤其是随着AI计算浪潮的崛起，芯片设计面临着诸多挑战，迫切需要一场全新的深度变革，从多个层次重构，才能满足当下、适应未来。 发表于：4/23/2025 SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB产品客户验证 4 月 23 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功完成 CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字节）产品的客户验证，是基于 CXL 2.0 标准的 DRAM 解决方案产品。 发表于：4/23/2025 复旦闪存新成果登Nature 突破闪存速度理论极限 史上最快的闪存器件，复旦团队造！ 其研发的皮秒闪存器件“破晓（PoX）”登上了Nature，擦写速度达到了亚纳秒级，比现有速度快1万倍。 并且数据不易丢失，按照实验外推结果，保存年限可达十年以上。 发表于：4/23/2025 IDC发布2024年Q4全球服务器追踪报告 4月23日 根据IDC的“全球季度服务器追踪报告”，服务器市场在2024年第四季度创下了773亿美元的收入纪录。该季度是自2019年以来增长率第二高的季度，供应商收入同比增长91%。 其中，x86服务器在2024年第四季度的收入增长了59.9%，达到548亿美元。非x86服务器的收入同比增长262.1%，达到225亿美元。 发表于：4/23/2025 基于多尺度伸缩卷积与注意力机制的光伏组件缺陷分割算法 无人机在光伏系统的巡检过程中需要对光伏组件的缺陷进行准确和快速识别，为此提出了一种基于多尺度伸缩卷积与注意力机制的光伏组件缺陷分割网络。首先在传统的U-Net网络每个Stage加入多尺度伸缩卷积模块，从而对光伏组件缺陷进行分割，PA达到了98.61%，与传统U-Net、FCN网络进行对比分析，准确率分别提高了0.32%和1.17%，算法消耗时间0.054 s，相较于对比的分割算法提高了0.006 s~0.013 s；然后将分割后的缺陷掩码mask和原图进行与操作，最后通过轻量级网络MobileNetV3对光伏组件缺陷（热斑、裂缝、鸟粪）进行检测并分类，精确率达到了98.82%，与SqueezeNet、ShuffleNet V2和GhostNet网络进行对比，分别提高了0.43%、1.08%和0.8%，平均检测时间0.026 s，相较于对比的检测算法提高了0.002 s~0.036 s。实验结果表明基于多尺度伸缩卷积与注意力机制的光伏组件缺陷分割网络具有较高的准确率和识别速率。 发表于：4/22/2025 前十占九！“中国机构正在主导全球芯片研究” 美国不断加强对华芯片出口限制，试图遏制中国获取先进半导体。但美国最新研究显示，中国研究人员已加紧努力，进行大量的基础研究，目前在芯片设计和制造研究领域处于世界领先地位。 发表于：4/22/2025 互联网大厂算力荒 智算中心却在卖卡求生 “能流畅跑70B模型的国产GPU有推荐的吗？”在一个算力交流群里，一位从业者问。不少回复打趣道：“48GB显存的4090。” 48GB显存的4090显卡并非英伟达推出的官方版本，而是国内特有的魔改版，专为满足推理算力需求。该版本在市场上大量流通，价格近乎翻倍，目前在京东商城里，其售价在2-4万元不等。 发表于：4/22/2025 高稳定性光纤激光器恒流驱动系统设计与实现 光纤激光器波长和输出功率的稳定性易受泵浦源驱动电流波动的影响，为应对该问题，设计了一款高精度、高稳定性恒流驱动系统。恒流源部分采用闭环负反馈原理，通过金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）来控制恒流输出，实现了对半导体激光器（LD）驱动电流的精准控制；限流保护电路利用二极管的限幅作用使LD免受过电流冲击的影响，电流缓慢启动采用软件控制的方法确保LD免受浪涌电流损害；光功率探测电路采用ADA4530芯片，确保在极低光照水平下也可精准探测到功率输出。实验结果表明，该电路可实现驱动电流在0~1.2 A连续可调，电流短期（120 min）和长期（24 h）稳定性分别为±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波长波动不超过±0.03 nm，输出功率的稳定度不超过0.084 3%，精度小于±0.15 mW。 发表于：4/21/2025 T型栅GaN HEMT微波器件ESD特性研究 对Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效机理与影响因素进行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效电压分布情况，并结合微光显微镜定位了引起器件退化的异常点，进行了对应的微区分析。另外，还探究了T型栅几何尺寸如栅脚、栅帽宽度与总栅宽等工艺参数对器件抗静电能力的影响并进行相关机理分析，为器件ESD性能、可靠性的优化提供了方向与参考。 发表于：4/21/2025 器件级带电器件模型静电放电测试标准分析及应用 针对器件级带电器件模型（CDM）静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性，明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型（CDM）静电放电测试结果的因素与控制方法，提出了在标准应用过程中保障结果一致性和准确性的相关技术技巧，为器件级带电器件模型（CDM）测试标准的选择、测试和工程应用提供了指导。 发表于：4/21/2025 «12345678910…»
