都说半导体制程微缩开始进入瓶颈期，不过在单晶硅难以继续微缩的时候，人们开始寻求新的替代产品。碳纳米管是替代硅的候选纳米材料之一，而碳纳米管晶体管的主要技术挑战过去几年已被陆续得到解决，极有可能在不久的将来走到我们面前。北京大学的科学家开发出栅长5纳米的碳纳米管场效应晶体管，声称其性能超过相同尺寸的硅晶体管。

碳纳米管假想图

与传统的硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管相比，碳纳米管晶体管的栅电容更小，与相同尺寸下的碳纳米管开关速度要比硅基互补金属氧化物晶体管快上很多。10纳米碳纳米管CMOS栅电容导致的延迟大约为70飞秒，仅为英特尔14纳米硅基CMOS的三分之一。