4月9日消息，美国政府宣布，计划向台积电提供66亿美元现金补贴、50亿美元低息贷款，总额116亿美元，约合人民币840亿元，支持其在美国本土的芯片制造。

这是美国根据《芯片与科学法案》所批准的最大一笔投资。

同时，台积电计划在美国亚利桑那州凤凰城建设第三座晶圆厂，在美投资总额将超过650亿美元，约合人民币4700亿元。

台积电在美国第一座晶圆厂Fab 21一期工程计划2025年上半年投产，引入5nm、4nm工艺。

Fab 21二期工程计划2028年投产，上马3nm、2nm工艺。

二者合计年产能可超过60万块晶圆，产品市场价值超过400亿美元。

最新规划的第三座晶圆厂计划升级到2nm和更先进工艺，但投产时间未定，可能要到2029-2030年，也就是第二座工厂完工之后。

台积电的这些投资，将为美国创造6000个高科技制造工作岗位，以及超过2万个建筑工作机会，还会花费5000万美元培训当地工人。

不过，台积电在美投资建厂也面临诸多问题，尤其是进度远不如预期，一二期工厂最早规划的投产时间分别是2024年和2026年。

美国《芯片与科学法案》的其他高科技投资还有：Intel 85亿美元直接补贴和110亿美元低息贷款、GlobalFoundries 15亿美元直接补贴、Microchip 1.62亿美元直接补贴、BAE 3500万美元直接补贴。

三星也正扩大在美投资，预计可获得60亿美元补贴。