1月14日消息，据《台北时报》报道，中国台湾“经济部长”郭振华（J.W. Kuo）近日在新闻发布会上表示，台积电现在被允许在其位于中国台湾以外的晶圆厂中采用其即将推出的 2nm 级制程工艺技术制造芯片。

此前，台积电一直被禁止在中国台湾以外使用其最新的工艺技术制造芯片，该战略旨在让台积电最先进的制程工艺技术保留在中国台湾。这些规则要求海外芯片生产至少比中国台湾落后两代。然而，中国台湾政府现在已经改变了立场，允许中国台湾企业可以根据技术进步和市场机会做出决定。

郭振华表示，“那些是古老的规则。时代变了，私营企业应该根据自己的技术进步做出自己的商业决策。基本原则是企业可以从他们的海外投资中获利。台积电正在美国建厂，旨在为美国客户提供服务，因为全球 60% 的芯片设计公司都位于美国。”

根据已经公布的计划，台积电将在美国亚利桑那州建设三座晶圆厂，包括一期的4nm晶圆厂，量产时间是2025年上半年；二期的3nm晶圆厂，原定于2026年开始量产，推迟到了2028年。两座晶圆厂完工后，合计将年产超过60万片晶圆，换算至终端产品市场价值预估超过400亿美元。2024年4月宣布新增的三期晶圆厂将生产2nm或更先进的制程技术，预计将在21世纪20年代底（2029～2030年）间量产。

这也使得台积电在亚利桑那州的总体投资金额从原来的400亿美元提升到650亿美元，并有望创造超过25000个直接建筑和制造业就业机会，以及数千个间接就业机会。有助于实现美国到 2030 年生产 20% 全球最先进逻辑芯片的目标。对此，美国政府已宣布向台积电提供高达66亿美元的补贴资金和50亿美元的低息贷款，用以支持台积电在美国亚利桑那州晶圆厂的建设。

不过，由于之前中国台湾政府的政策限制，台积电2nm或更先进技术出口到美国晶圆厂还需要中国台湾政府的批准。但是从郭振华最新的表态来看，相关的限制即将解除。这也意味着台积电将可以在美国生产2nm或更先进的制程工艺。

根据台积电的规划，2025 年至 2026 年，其在中国台湾将至少拥有能够量产2nm芯片的晶圆厂。而台积电美国亚利桑那州的第三座晶圆厂可能要等到2030年才能生产其2nm家族（N2、N2P、N2X）甚至是1.6nm（A16）制程工艺。