物联网最新文章 MUSES旗舰版新产品『MUSES03』高音质音频运放正式面市 新日本无线经过长期的研发，终于又成功推出了一款高音质电子元器件MUSES系列旗舰版的新产品『MUSES03』 ，它是面向高端音响器材的单路J-FET输入形式的高音质运放。由于采用了重视音质的优化电路、精选材质、全新组装技术，从而实现了高音质。 发表于：2017/3/29 3D打印技术将成为现代神经外科的“黑科技” 1986年，查尔斯· 赫尔(Charles Hull)开发了第一台商业3D印刷机。30年来，3D打印逐渐被应用于工业设计、建筑、汽车、航空航天、牙科和医疗产业、教育等多个领域——我们甚至不知道3D打印的极限在哪里，但是，我们可以确定的是：作为尖端科技，3D打印或将改变人类的历史进程!下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 发表于：2017/3/29 中芯国际发布2016年财报 营收分布解析 2017年3月27日，中芯国际发布2016年度财报。财报显示，过去的一个年度，中芯国际营收达到创纪录的29.14亿美元，同比上年的22.36亿美元增长30.3%。其中毛利也达到8.29亿美元，较上年的6.82亿美元增长24.5%。 发表于：2017/3/29 村田购并美Arctic Sand 锁定功率半导体 日本电子零组件厂村田制作所(Murata)，于2017年3月17日宣布签约购并美国半导体新创企业Arctic Sand Technologies，收购程序估计将在4月上旬完成，据日本经济新闻(Nikkei)网站报导，购并金额约70亿日圆(约6,200万美元)。 发表于：2017/3/29 Cypress发通知、Micron涨价，NOR Flash今年看涨60% 据海外媒体报道，苹果iPhone 8将导入NOR Flash，已让NOR芯片缺货更为严重。 内存业界透露，今年NOR芯片供给缺口将扩大至20%，主要供应商Cypress也正式发出涨价通知，业界估计今年涨幅可能扩大至逾60%。 发表于：2017/3/29 南京集成电路产业挺进第一方阵 将迎爆发式增长 2017年3月23日，中国半导体市场年会暨第六届集成电路产业创新大会在南京高新区开幕。这是南京首次承办全国集成电路领域最高规格的年度盛会，并且连续3年这一盛会的“主场”都将设在南京。从上海、北京等集成电路“重镇”手中赢得举办权，充分说明南京已在全国产业领域占据重要一席。 发表于：2017/3/29 日本拟禁止东芝公司将半导体业务售予两岸企业 据悉，关于出售东芝的半导体事业一事，日本政府以“国家安全”为由正研讨对把中国大陆和中国台湾企业排除在收购候选名单之外的方案。韩国SK海力士半导体公司也正在推进收购东芝的半导体事业。 发表于：2017/3/29 全球晶圆厂设备支出持续攀升 2018年大陆支出将超台湾地区 随着如大陆与韩国等地持续对晶圆厂设备进行投资，预计全球晶圆厂设备支出将会出现自1990年代中期以来，首次连续3年(2016~2018年)成长荣景。此外，2018年大陆地区支出将会超越台湾，成为仅次于韩国的全球第二大市场。 发表于：2017/3/29 62家龙头单位发起 集成电路产业技术创新战略联盟成立 按照习近平总书记关于实施网络强国战略、突破前沿核心关键技术、构建安全可控信息技术体系的指示精神，2017年3月22日，由62家龙头企业、高校、研究院所和社会组织等共同发起的“集成电路产业技术创新战略联盟”在北京成立。 发表于：2017/3/29 38所设计首个硅光芯片制造平台 其有望实现国产化 三四秒钟就下载一部40G的蓝光电影，可以让雷达“看得更清、看得更远”……借助最新研制的硅光芯片，这些神奇变化都将成为现实。记者3月20日从中国电科38所获悉，由该所参与设计的全国首个硅光芯片制造平台日前诞生，今后硅光芯片将有望实现国产化，该平台“升级版”也将落户合肥综合性国家科学中心的联合微电子中心。 发表于：2017/3/28 乘OLED东风 大陆触控显示产业链强势崛起 OLED将重塑触控显示产业链格局，陆企经过多年积累，在产业链各个环节均涌现具有国际竞争力的公司，有望凭借资金、服务和配套的优势，迅速跻身国际第一梯队。 发表于：2017/3/28 光子IC大赢家会是谁？ 电子组件和光学组件最终注定要合并，但在今年的光纤通讯展（OFC 2017）上却引发业界对于硅光子（SiP）或磷化铟（InP）谁才是最发展路径的论战。 发表于：2017/3/28 东芝半导体出售30日揭晓 鸿海面临严格审查 鸿海布局东芝内存能否成局，30日东芝股东临时会可望揭晓，不过日本政府已表达对参与东芝半导体分社化的外资企业、将严格审查的态度。 发表于：2017/3/28 麻省理工联合芝加哥大学研发7纳米工艺 近日，美国麻省理工学院(MIT)和芝加哥大学的研究人员开发了一种新技术，可以让芯片按照预定的设计和结构自行组装。 发表于：2017/3/28 Littelfuse双向瞬态抑制二极管阵列保护高速接口免受ESD侵害 Littelfuse公司作为全球电路保护领域的领先企业，近日宣布推出了一个旨在保护电子设备免受破坏性静电放电(ESD)损坏的瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列产品。 SP3042系列双向分立型瞬态抑制二极管阵列包括采用硅雪崩技术制造的反向瞬态抑制二极管，它可安全吸收IEC 61000-4-2国际标准(±30kV接触放电)所规定最高值的反复性ESD震击，而不会造成性能减退。 当空间利用率极高的01005封装存在交流信号时，反向配置可为数据线提供对称ESD保护。 该系列产品的低负载电容(VR=0V条件下为0.35pF，典型值)使其成为保护HDMI2.0、USB2.0、USB3.0和eSATA等高速接口的理想选择。 发表于：2017/3/28 <…726727728729730731732733734735…>
