头条 “网络安全”再次成为众多两会代表提案的关键词 今年的两会已落下帷幕，“没有网络安全就没有国家安全”，“网络安全”再次成为众多代表委员提案和议案中的关键词。随着网络的飞速发展，网络信息安全问题已对国家、社会及个人造成巨大威胁。 下面就一起看看对于解决所面临的网络安全问题，代表委员们都有哪些好的建议。 最新资讯 Microchip发布业界首款通过汽车级认证的第四代PCIe交换机，助力自动驾驶生态系统发展 面向分布式异构计算系统的高速、低延迟连接解决方案是实现下一代自动驾驶应用的基本要素。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出市场上首款通过汽车级认证的第四代PCIe®交换机。新发布的Switchtec™ PFX、PSX和PAX交换机解决方案为高级驾驶辅助系统（ADAS）提供了尖端的计算互连能力。 发表于：2022/2/24 扩展新应用领域，PI推出首款汽车级开关电源IC 2022年2月15日，Power Integrations召开新品发布会，推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新产品是业界首款采用碳化硅（SiC）初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC，可提供高达70W的输出功率，主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车，以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。在ACDC消费类应用中积累了深厚经验的Power Integrations，此次将目光聚焦到电动汽车领域的ACDC应用上。希望将其消费类应用中产品的高质量、低失效率的优势延续到对可靠性有更高要求的电动汽车应用当中。 发表于：2022/2/24 苹果汽车：自动驾驶模块外包韩国 OSAT是供应商经常向合作伙伴提供的一项服务，涉及半导体装配、封装和集成电路测试。据TheElec报道，该项目于去年开始，预计将于2023年完成。 发表于：2022/2/24 Littelfuse提供紧凑型盒式保险丝，具有高电流，高额定电压 Littelfuse公司 一个全球领先的电路保护、电源控制和感应技术制造商，今天推出紧凑型管状保险丝系列，交流电压为500Vac/Vdc，其额定电流为40A至63A，分断电流为10,000A。 发表于：2022/2/24 英特尔54亿美元收购Tower半导体，到底为哪般? 英特尔宣布将以每股53美元的现金收购以模拟和射频等特色工艺著称的以色列晶圆代工厂Tower半导体（Tower Semiconductor），总收购金额约为54亿美元。 发表于：2022/2/23 英飞凌将投资逾20亿欧元扩大宽禁带半导体产能 英飞凌将显著扩大宽禁带（碳化硅和氮化镓）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。 发表于：2022/2/23 台积电3nm良率难提升 多版本3nm工艺在路上 近日，关于台积电3nm工艺制程有了新消息，据外媒digitimes最新报道，半导体设备厂商透露，台积电3纳米良率拉升难度飙升，台积电因此多次修正3纳米蓝图。 发表于：2022/2/23 兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证，全面进入汽车应用领域 中国北京（2022年2月22日） — 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）宣布，旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。该系列包含GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品，覆盖1Gb~4Gb容量，从设计研发、生产制造到封装测试所有环节，均采用国内供应链，极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白，全面进入汽车应用领域，并且，兆易创新拥有强大的本地化支持和快速的客户响应能力，加速助力汽车应用的国产化。 发表于：2022/2/23 SEMPER™ NOR Flash闪存解决方案中心针对安全关键型应用简化设计并缩短上市时间 【2022 年 2 月 22日，德国慕尼黑讯】近日，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）发布了针对屡获殊荣的SEMPER™ NOR Flash系列产品的全新开发工具 —— SEMPER解决方案中心。作为集成了所有应用模块的一站式网站，SEMPER解决方案中心涵盖能够将SEMPER NOR Flash集成到应用中所需的所有构件，可助力开发人员快速设计出安全关键型汽车、工业和通信系统，从根本上确保安全性。 发表于：2022/2/23 Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管 荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度器件是我们最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT工艺的首发产品。 发表于：2022/2/23 <…2791279227932794279527962797279827992800…>
