作为全球最大的代工厂，台积电这几年并不是很顺利，但每每展望未来总是一片光明：2016年第四季度量产10nm，2018投产7nm……那么再往后呢？就是5nm了。嗯，没错，越往后进步幅度就会越小，5nm之后还能不能继续前进都是个大问题了。

       为了解决工艺提升中的各种复杂挑战，半导体行业早就想出了各种各样的高招，但因为成本太过于高昂，技术太过于复杂，一直都很难投入实用，比如说极紫外光刻(EUV)。

       根据规划， 台积电的10nm、7nm都会用上EUV极紫外技术，更遥远的5nm也会如此，而且还会加入新的多重电子束技术(multipe e-beam)。

       不过，5nm还属于长期规划，需要解决的问题太多太多，何时投产尚无明确时间表，台积电只是说会在2014-2019年间不断研究5nm。

       业内人士预计，10nm之后的工艺至少5年以后才能实现，照这么预计及时7nm也得等到2020年，而按照台积电这几年的拖沓表现，还真不好说。

       Intel也在一直研究极紫外光刻和450毫米大晶圆，但多次推迟了投产进度。450毫米晶圆已经在试产，应该会在10nm上使用。极紫外说不定得等7nm。