2015年7月22日，日本东京讯——全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日推出了两个全新的超低功耗SRAM（超LP SRAM）系列——低功耗SRAM领域的领先产品，能够为工厂自动化（FA）、工业设备、智能电网等应用提供更出色的可靠性并延长备用电池的使用寿命。全新的16Mb RMLV1616A系列和32 Mb RMWV3216A系列采用110纳米制造工艺，融合了创新的存储单元技术，不仅大幅提升了可靠性，同时也有助于延长电池的工作时间。

       近来，业内对用户系统安全性和可靠性的要求日渐提高，而SRAM作为存储系统程序和财务交易数据等重要信息的载体，必须具备高水平的可靠性。因此，如何减少因阿尔法辐射和宇宙中子辐射造成的软失效（注释1）成为了一项重点课题。通常情况下，解决这一问题的处理方式是在SRAM或用户系统中加入内部纠错（ECC）电路。但ECC电路的纠错能力具有一定的局限性，例如：可能无法同时纠正多个位元的错误。

瑞萨的超LP SRAM的存储器单元采用其独有技术，抗软失效能力（注释2）是传统全CMOS型存储单元（注释3）的500多倍，使其成为了对可靠性具有高要求的应用领域的理想之选，包括工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、工业设备以及消费电子设备、办公设备和通讯设备等诸多其他应用领域。

全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特点如下：

· (1) 采用瑞萨独有的超LP SRAM技术，大幅提升了抗软失效能力，实现了更良好的可靠性

       在瑞萨超LP SRAM的结构方面，存储单元中的每个存储节点（注释5）都结合了堆叠电容（注释4）技术，从根本上预防了软失效的出现（注释6）。此外，每个SRAM单元的负载晶体管（P沟道）为多晶硅薄膜晶体管（TFT）（注释7），堆叠于硅基板的N沟道MOS晶体管之上。在硅基板下方仅形成N沟道晶体管，这样可确保存储区内不形成寄生晶闸管，并从理论上杜绝闩锁效应（注释8）。因此，对于需要严格保证高水平可靠性的应用环境（如：工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、交通系统、工业设备等）而言，超LP SRAM可谓理想之选。

· (2) 待机电流比上一代产品降低了50%以上，有助于延长备用电池使用寿命

       全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16 Mb产品的待机电流仅为0.5 µA（典型值），32 Mb产品（注释9）的待机电流仅为1 µA（典型值）。新产品的电流消耗水平比瑞萨先前推出的同类SRAM产品（注释10）降低了50%以上，有效延长了备用电池的使用寿命。保存数据时的最低电源电压为1.5 V，低于先前瑞萨同类产品的2.0 V。

· (3) 封装选项

       16 Mb RMLV1616A系列提供三个封装选项：48球FBGA、48管脚TSOP(I)及52管脚µTSOP (II)，客户可根据自身的应用需求来选择最适合的封装方案。32 Mb RMWV3216A系列提供48球引脚的FBGA封装。

定价和供货

       RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的样品将于9月发布，定价根据存储容量而有所不同。例如，16 Mb RMLV1616A系列的单价为16.5美元，32 Mb RMWV3216A系列的单价为31美元。上述两个系列的量产预计将于2015年10月启动。采用110纳米工艺的4 Mb和8 Mb超LP SRAM产品已经开始量产。

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· （注释1）软失效：

       指在硅基板被外部阿尔法辐射或中子辐射击中时生成电荷，造成存储数据丢失的现象。相比可重现的半导体元件物理故障等硬错误，软失效具有不可重现性，仅需让系统重写数据即可修复。一般来说，制造工艺越精密，软失效的出现率会越高。

· （注释2）根据瑞萨进行的系统软失效评估结果。

· （注释3）全CMOS型存储单元：

       由同一硅基板表面上共计六个P通道MOS晶体管和N通道MOS晶体管所构成的SRAM存储单元结构。其表面积较大，存在闩锁风险。

· （注释4）堆叠电容：

       具有两个由多晶硅或金属构成的电极的电容器。此类电容器构成于硅基板上MOS晶体管的上层。

· （注释5）存储节点：

       每个存储单元内以“高”或“低”电势形式存储信息位的触发器电路节点。

· （注释6）瑞萨已在其网站上发布了针对采用超LP SRAM系统的软失效评估结果。整个评估过程历时一年多，并在与一般用户使用环境相似的条件下进行，最终结果表明不存在软失效。

· （注释7）薄膜晶体管（TFT）：

       使用薄膜多晶硅构成的晶体管。此元件可用作SRAM负载晶体管，构成于硅基板上MOS晶体管的最上层，可有效减少存储单元的面积。

· （注释8）闩锁效应：

       指CMOS晶体管的电位阱、硅基板、P型扩散层和N型扩散层所形成的NPN或PNP结构（寄生双极性晶体管）因电源或输入引脚过电压而进入开启状态，从而造成大电流在电源和接地之间流动的现象。

· （注释9）在3.0 V电源电压和25°C环境温度下得出的参考值。

· （注释10）R1LV1616R系列和R1WV3216R系列，采用了150 nm工艺。

关于瑞萨电子株式会社

       瑞萨电子株式会社（TSE：6723），是全球首屈一指的微控制器供应商和高级半导体解决方案的首选供应商，产品包括微控制器、SoC解决方案和各 种模拟与功率器件。2010年4月，NEC电子公司（TSE：6723）和株式会社瑞萨科技合并成立了瑞萨电子株式会社，公司业务覆盖了面向各种应用的研究、开发、设计与制造。瑞萨电子株式会社总部设在日本，在全球20多个国家均设有分公司。