氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，上世纪90年代就已经有了氮化镓的应用，这些年来氮化镓已经成为了全球半导体研究的热点，被誉为第三代半导体，其具有更高的击穿强度、更快的开关，更高的热导率和更低的导通电阻，因此能够降低损耗、减少发热，提供高效节能，使得元器件的体积能够更加精简，正因如此，氮化镓技术的应用也越来越多，本文就带大家了解一下氮化镓技术应用在了哪些方面。

　　氮化镓器件现在普遍应用在了构建放大器电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）中。其中大多数氮化镓HEMT用于功率放大应用。然而，氮化镓HEMT和其他晶体管变体也可用于低噪声和宽带放大器。如今，氮化镓开关和二极管也变得越来越普遍，通常可用于取代砷化镓（GaAs）、硅（Si）、硅锗（SiGe）或磷化铟（InP）器件。

　　在新一代的电力电子器件制造中，如果使用氮化镓，那么相较于用原来的硅材料，可以在体积上变得更小，而且在运行速率方面更快更高效。这就可以减少电力电子元件的质量、体积，便于携带或者使用，还可以增加电力电子元件的使用寿命，从而减少生命周期成本。因为有了氮化镓技术的支持，就可允许设备在更高的温度、电压和频率下工作，使得电子电子器件使用更少的能量却可以实现更高的性能。

　　充电器也是氮化镓技术的一个主要应用方面。氮化镓技术所具备的快速开关优势，提高了充电器的开关频率，减小变压器体积，并降低器件的散热需求，从而显著缩小了充电器的体积，使充电器具备更大的输出功率，更多的输出接口，深受消费者的喜爱。不同于普通充电器，车充由于受限于点烟器接口的尺寸限制，体积往往无法做大，如果采用传统功率器件，输出功率难以进一步提升。但是将氮化镓功率器件应用在车充产品中，就能够提升输出功率，并且保持原有的体积不变。

　　在当下快速发展的5G通信中也有用到氮化镓技术，射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓、砷化镓和磷化铟是射频应用中常用的半导体材料。而氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高的工作电压，意味着其功率密度及可工作温度更高，因而具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点。

　　5G大功率基站氮化镓功率放大器就是氮化镓技术在5G中的一个重要应用，这种放大器主要应用于5G大功率基站中，解决了5G移动网络中面积小但数据流量请求相对集中的问题。在5G毫米波的应用上，氮化镓的高功率密度特性在实现相同覆盖条件及用户追踪功能下，可以有效减少收发通道数和整体方案的尺寸。

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