新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件

　　加利福尼亚州戈莱塔 - 2024 年 1 月 17 日 - 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN®器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常适合现有硅基生产线量产。目前，50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样，预计将于 2024 年一季度供货上市。

　　一千瓦及以上功率级的数据中心、可再生能源和各种工业应用的电源中，Transphorm 的 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项，也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和 SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能，从而为用户提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中，与导通电阻相当的 SiC MOSFET相比，35 毫欧 SuperGaN 4 引脚 FET 器件在 50 千赫兹（kHz）下，损耗减少了 15%，而在 100 kHz 下的损耗则降低了 27%。

　　Transphorm 的 SuperGaN FET 器件所具有的独特优势包括：

　　·业界领先的稳健性：+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性。

　　·更优的可设计性：减少器件周边所需电路。

　　·更易于驱动：SuperGaN FET 能使用硅器件所常用的市售驱动器。

　　新发布的TO-247-4L 封装器件具有相同的稳健性、易设计性和易驱动性，其核心技术规格如下：

　　Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什么样的设计需求，Transphorm都能够帮助客户充分利用SuperGaN平台的性能优势。四引脚 TO-247 封装的SuperGaN为设计人员和客户带来提供极佳的灵活性--只需在硅或碳化硅器件的系统上做极少的设计修改（或者根本不需要进行任何设计修改），就能实现更低的电源系统损耗。Transphorm正在加速进入更高功率的应用领域，新推出的这两款器件是公司产品线的一个重要补充。”

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