7月17日消息，据三星供应链厂商透露，已接获三星通知，其高频宽內存（HBM）产品HBM3e已通过英伟达（NVIDIA）认证，预计本季开始供货。对此，三星将转移高达30%的现有DRAM产能用来生产HBM3e，以保障对于英伟达等大厂的供应。

此外，三星目前已经向供应链伙伴预告需要“提早备货”相关标准DRAM产品，有相关供应链厂商已经接到了通知，这也让三星大量转移DRAM产能生产HBM的传闻更具可信度。

HBM是AI芯片关键组件，随着AI芯片的需求增长，对于HBM的需求也是供不应求。目前在HBM市场，SK海力士占据着领导地位，三星也在持续发力HBM，希望能够追赶上SK海力士。此次成功通过英伟达的验证，则意味着其能够大量供货给英伟达，从而进一步提升在HBM市场的市占率，缩小与SK海力士的差距。

为什么三星需要转移这么多的DRAM产能来生产HBM呢？因为，即使在相同制程工艺节点下，相同容量的HBM对于晶圆的消耗也远高于DDR5。美光此前就曾在其财报中指出，在整个行业范围内，HBM3e在同一技术节点中生产给定数量的位所消耗的晶圆供应量大约是DDR5的三倍。也就是说，三星转移现有的30%的DRAM产能来生产HBM，可能也只能带来这些转移的总产能的1/3的HBM产能增加。

虽然三星将其现有的30%的DRAM产能转移生产HBM，将有助于缓解市场上HBM的供应紧张问题，但是也将会造成对标准DRAM产品的供应大幅减少。由于三星是全球DRAM芯片的龙头，占据整个市场超过45%的份额，势必将造成全球标准DRAM产品的供给紧张、价格上涨。根据计算，三星此举将影响全球现有超过13%的DRAM产能不再投入DDR4或DDR5等DRAM产品，从而导致DRAM市场更加供不应求。

据《经济日报》援引外资投行摩根士丹利的报告称，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，标准型DRAM供应缺口更是高于HBM达23%，预计价格将一路上涨。

南亚科技总经理李培瑛此前曾指出，HBM、DDR5供不应求，有望拉抬DRAM市场，预期南亚科技下半年将维持全产能生产，以满足市场需求。

李培瑛认为，南亚科技较有把握调涨DDR4价格，主因是三大原厂产能排挤下，将减少DDR4产出，预期将调整相关市场库存，而在需求大于供给下，南亚科技也会有较大的议价能力。

威刚董事长陈立白也乐观看待整体DRAM市场，他指出，目前上游原厂对价格态度依旧相当正向积极，产能配置以毛利率最高的HBM优先配置，之后才是一般用途的DDR5与DDR4，资本支出也以获利为导向，看好除了DDR5价格继续上涨外，DDR4待库存去化告一段落，价格也将从8月开始进入第二波涨势，涨幅至少30%以上。

十铨也预告，DDR5由于原厂的供给量不足，价格仍会持续微幅上扬，消费级AI应用将会于今年第4季后，随着相关终端装置新品陆续推出，将带动需求上扬。

根据市场研究机构TrendForce此前发布的调查报告显示，由于通用型服务器(general server)需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季DRAM均价将持续上涨约8~13%，其中PC DRAM 预计环比上涨3-8%，Server DRAM预计环比上涨8-13%，Mobile DRAM预计环比上涨3-8%，Graphics DRAM预计环比上涨3-8%，Consumer DRAM DDR3?&DDR4预计环比增长3-8%。

值得一提的是，据《韩国经济日报》引述未具名消息人士报导，三星目前正准备运用4nm制程，量产第六代高带宽内存——HBM4的逻辑芯粒（logic die）。该逻辑芯粒位于HBM堆叠的最底层，为HBM的核心元件。三星目前是以10nm制程生产HBM3E的逻辑芯粒，现在计划运用4nm来生产，是希望借此夺得HBM技术的领导地位。