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英飞凌发布新一代氮化镓产品矩阵

2024-08-13
来源:英飞凌
关键词: 英飞凌 氮化镓

编者按:随着低碳节能需求的不断释放,第三代半导体产品逐步获得广泛应用。借助手机、家电等消费电子领域的成功,氮化镓目前正逐渐进入高价值应用场景如AI服务器、汽车等热门市场,这些领域的投资回报率和利润率高于消费市场,从而不断吸引功率半导体大厂的注意力。日前,英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生,详细介绍了该公司在氮化镓领域的业务布局和新一代产品方阵。

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英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛


作为全球功率半导体重要供应商,英飞凌科技深耕氮化镓技术二十逾载,拥有丰富的经验。

2023年,英飞凌又以现金8.3亿美金收购了GaN Systems,借此收购英飞凌扩大了第三代半导体业务版图。据调研机构集邦咨询统计,按照2022年氮化镓功率器件市场收入的整体份额看,此次收购将一举让英飞凌在该领域的收入份额从Top5开外直接进入第五名阵营。

作为这一过程的参与者和亲历者,英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛在10年前便成为了英飞凌科技的一员,并见证了英飞凌科技在氮化镓领域的创新探索。

程文涛表示,英飞凌今天的氮化镓技术中有相当一部分是建立在跟IR氮化镓业务基础上,而通过收购GaN Systems之后氮化镓产品线更加丰富,并且拥有了氮化镓行业里最大的知识产权库。

据程文涛介绍,在收购合并GaN Systems之前英飞凌只有两类产品,收购之后扩充至五类。英飞凌原来是以做器件见长,而GaN Systems是以系统见长,双方的合并激发了更多的技术创新思路。双方人才的互相交流,对于公司产品的创新起到了加速作用。

现如今,英飞凌科技已经形成了CoolGaNTM品牌下的新一代五大类氮化镓产品阵列:CoolGaNTM Transistor、CoolGaNTM BDS、CoolGaNTM Smart Sense、CoolGaNTM Drive和CoolGaNTM Control。

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CoolGaN™ G3系列晶体管和CoolGaN™ G5系列晶体管


针对CoolGaNTM Transistor,英飞凌科技近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM晶体管系列产品,新品完全采用 8 英寸工艺制造,这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到 40 V 至 700 V 电压,进一步推动数字化和低碳化进程。全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件,覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级,以及40 V双向开关(BDS)器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。

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CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense


对于 CoolGaNTM BDS而言,其拥有出色的软开关和硬开关性能,提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关,适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaNTM Smart Sense 产品具有无损电流检测功能,简化了设计并进一步降低了功率损耗,同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中,适用于消费类USB-C 充电器和适配器。

对于氮化镓器件的应用前景,程文涛持积极乐观的态度。

程文涛表示,在用到氮化镓相关产品时,设计师们获得了三大好处:节能、节省成本以及节省材料。氮化镓在应用中,由于它开关速度特别快,可以提升开关频率,在开关频率提升后很多被动元器件可以大幅度减小,散热器也可以减小,进而节省物料,这是氮化镓在节省物料层面带来的优势。

基于此,使用氮化镓器件后整个系统的成本自然也就下降了,这就氮化镓半导体器件的大规模应用打开了广阔的市场空间。

预计2024年氮化镓功率元件产业营收年成长幅度将持续走高,长期来看,市场规模将从2022年的1.8亿美元成长到2026年的13.3亿美元,复合增长率高达65%。相信伴随英飞凌在氮化镓领域的不断创新与突破,未来会看到氮化镓器件的市场应用边界会不断拓展。


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