英飞凌发布StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合
面向大众市场应用,实现高度设计灵活性
2024-09-28
来源:英飞凌
【2024年9月27日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品组合,扩展了现有StrongIRFET™ 2系列产品的阵容,以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化,具有高可靠性和易用性,专为满足各种大众市场应用的要求而设计,实现了高度的设计灵活性。适合的应用包括工业开关模式电源(SMPS)、电机驱动器、电池供电应用、电池管理系统和不间断电源(UPS)。
与上一代StrongIRFET™半导体器件相比,StrongIRFET™ 2 30 V技术使RDS(on)和Qg分别降低了多达40%和60%。这意味着更高的功率效率和整体系统性能的提升,同时兼具出色的稳健性。全新功率 MOSFET产品还实现了简单的设计导入并简化了产品服务。该产品系列具有出色的性价比,对寻求方便选购的设计人员来说是理想选择。
供货情况
采用TO-220封装的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品现已上市。到2024年底,该产品组合将推出更多行业标准封装和引脚选项,包括DPAK、D²PAK、PQFN 和 SuperSO8。
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