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英飞凌CoolSiC™肖特基二极管2000 V满足高直流母线电压应用

直流母线电压最高可达1500 VDC, 效率更高,设计更简单
2024-10-23
来源:英飞凌
关键词: 英飞凌

【2024年10月23日, 德国慕尼黑讯】如今,许多工业应用可以通过提高直流母线电压,在力求功率损耗最低的同时,向更高的功率水平过渡。为满足这一需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5,这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用,额定电流为10 A至80 A,是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。

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该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14 mm,间隙距离为5.4 mm,再加上高达80 A的额定电流,显著提升了功率密度。它使开发人员能够在应用中实现更高的功率水平,而元件数量仅为 1200 V SiC解决方案的一半。这简化了整体设计,实现了从多电平拓扑结构到2电平拓扑结构的平稳过渡。 

此外,CoolSiC™肖特基二极管2000V G5采用.XT互连技术,大大降低热阻和阻抗,实现了更好的热管理。此外,HV-H3TRB可靠性测试也证明了该二极管对湿度的耐受性。该二极管没有反向或正向恢复电流,且具有正向低电压的特点,确保系统性能更优。 

2000 V二极管系列与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC™二极管2000 V产品组合将通过提供TO-247-2封装而得到扩展,该封装将于2024年12月推出。此外,英飞凌还提供了与CoolSiC™ MOSFET 2000 V匹配的栅极驱动器产品组合。

 

供货情况

采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5系列及其评估板现已上市。

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