11 月 26 日消息，韩媒 The Elec 今天（11 月 26 日）发布博文，报道称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。

援引消息源报道，此前每层涂层需要 7-8cc 的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化 PR 涂层后的蚀刻工艺，现在只需要 4-4.5cc。

而另一个重要因素，是三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成 1 层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率。

不过更厚的光刻胶在生产中也有挑战，由于光刻胶具有高粘度，在涂层工艺时会导致均匀性问题。

三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司自 2013 年起就密切合作，共同研发高性能光刻胶。东进半导体一直是三星 KrF 光刻胶的独家供应商，为三星第 7 代（11 微米）和第 8 代（14 微米）3D NAND 提供了关键材料。

消息称从第 9 代 3D NAND 开始，三星将全面应用这项新技术，这一创新举措不仅提高了生产效率，更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。

同时也意味着东进半导体将面临来自三星的订单减少，东进半导体目前每年从光刻胶业务中获得约 2500 亿韩元收入，其中 60% 来自三星。