据韩联社报道，三星电子于7月30日的第二季财报会议上宣布，预计今年底在美国德克萨斯州泰勒园区（Taylor）动工兴建第二座半导体晶圆厂“Taylor Fab 2”，目标是2030年量产1.4nm。

针对现有泰勒厂区的进度，三星电子指出，泰勒一厂（Taylor Fab 1）的建设正按原订时程顺利推进，预计于2026年正式营运。

待一厂顺利投产后，将逐步扩大2nm制程产能。

同时，随着客户对1.4nm先进制程的询问度不断攀升，三星透露目前也正在评估是否需要进一步增设晶圆厂，后续细节将按照客户订单状况与双方洽谈结果，采取分阶段方式进行规划。

在整体的产能策略布局上，三星电子强调，未来成熟制程将逐步过渡至更具获利能力的先进制程生产线，同时会将企业资源集中押注于技术门槛较高、附加价值更大的特殊制程产品上，借此持续优化产品结构与市场竞争力。