8月19日，外资投行摩根士丹利（Morgan Stanley）的最新报告指出，DDR4和SLC NAND的供应吃紧状况仍将继续，今年下半年价格仍将继续上涨。

摩根士丹利指出，产能向先进技术转移，使一般传统标准型DDR4与SLC NAND面临晶圆分配严重缩水的问题。报告预估，技术较为成熟的DRAM（如DDR4）的价格将在2026年第三季大涨50%，第四季再度上涨10%。相较之下，SLC NAND的涨势更为猛烈，预计在2026年底前的最后两个季度中，每季都将大涨50%。此外，NOR Flash第四季度及2027年上半年价格持续面临上行压力，主要受工业、汽车、网络、边缘AI及AI服务器需求支撑。

造成这一轮存储芯片供应吃紧的状况，主要是因为各大存储制造商将产能大举转移至高带宽内存（HBM）、DDR5以及企业级SSD等高毛利产品，导致技术较成熟的标准型产品（如DDR4与SLC NAND）的市场供货占比被严重压缩所导致。

更为关键的是，HBM的极高的DRAM晶圆消耗量，每生产一份HBM，需要消耗三份传统DRAM晶圆数量，这不仅是因为其垂直堆叠的物理结构，更因为在设计上，内存单元无法紧邻用于物理连接各层的硅穿孔（TSVs），大幅降低了生产效率并增加了耗损。

与此同时，AI热潮对HBM的需求依旧不见顶。根据瑞银集团（UBS）的最新预估，到2027年，全球HBM总需求将达615亿Gb，而AI芯片龙头英伟达（NVIDIA）一家就将消耗约251亿Gb，占全球总需求近四成（约40.8%）。

除了技术成熟的通用DRAM价格暴涨之外，新的DDR5价格也同样毫无降温迹象。美国银行（Bank of America）的研究数据显示，24GB DDR5-5600/6400芯片的现货价格在8月份单月再度上涨8%。这使该芯片的价格达到了高达483%的惊人年度涨幅。回顾2025年年中，24GB DDR5芯片的价格仅在8美元左右，而目前已一路飙升、逼近47美元关卡。

整体来说，内存大厂的产能战略转移与人工智能的高速发展，联手推高整体科技硬件供应链的成本压力。接下来何时能够缓解，仍须看供应端与市场需求端何时能够达到平衡。