消费电子最新文章 防雷器能否发挥作用关键看接线 路灯系统，通常安装在户外，雷击威胁极大。轻则导致路灯损坏，重则引起火灾或人员伤亡，产生巨大的损失。因此，雷击风险较大的系统通常都需要安装有效的防雷器或增加前级防雷电路，在此以路灯系统为例，重点介绍防雷器的安装差异对防雷效果的影响。 发表于：2016/8/18 为什么参数差的基准反而可能更好 几乎所有的电子测量仪器都有一颗“心脏”——基准电压源。它对整个仪器的模拟系统性能和精度有着重大影响，在对它选型时我们是既兴奋又焦虑，我们可不能一味的根据厂商提供的器件参数文件进行选型，这往往有些“坑”…… 发表于：2016/8/18 英特尔全面升级实感技术 英特尔信息技术峰会，美国加州旧金山，2016年 8 月 16 日——在今天举行的英特尔信息技术峰会（IDF）上，英特尔发布了关于英特尔® 实感™ 技术的多项重要更新。正如双目视觉让人类能够看到三维世界，实感技术的目标是打造出具备堪比人类3D感知能力的智能、交互和自主式的设备和系统。 发表于：2016/8/18 MOS晶体管 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC 发表于：2016/8/18 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 发表于：2016/8/18 赛普拉斯率先推出支持USB Power Delivery 3.0 的 USB-C™ 解决方案 美国旧金山，2016年8月16日 — USB市场创新领导者赛普拉斯半导体公司(NASDAQ：CY) 今日宣布其USB-C™控制器产品组合现已支持最新USB Power Delivery (PD) 3.0 规范，从而为笔记本电脑和移动设备提供了功能更强大的电力传输和充电解决方案。 发表于：2016/8/18 什么是耗尽型MOS晶体管 据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道。 发表于：2016/8/18 最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比（VSWR）的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗？这种耐用性适用于哪些类型的应用？本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。 发表于：2016/8/18 36V 超低噪声精准运算放大器 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 8 月 17 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出精准运算放大器 LT6018，该器件在 0.1Hz 至 10Hz 频率范围内噪声为 30nVP-P，最大输入失调电压为 50μV。LT6018 专门对低频噪声敏感的应用而设计，具非常低且不到 1Hz 的 1/f 拐角频率。 发表于：2016/8/18 Woodhead® Haztex® 高输出 LED 危险任务灯具 (新加坡 – 2016 年8月18日) Molex 推出 Woodhead® Haztex® 高输出 LED 危险任务灯具产品。这一危险任务灯具集成了 LED，极大的增强了耐久性与灯泡寿命。灯具可以用于多种危险应用，其中正常运行时间和安全性具有至关重要的作用，例如石化厂的维护操作等。 发表于：2016/8/18 泰克IsoVu™光隔离测量系统开始出货 中国北京2016年8月18日 – 全球领先的测量解决方案提供商——泰克科技公司日前宣布，此前在APEC 2016展览会上预展的IsoVu™测量系统现已开始出货，在全球范围内向客户交货。光隔离测量系统的价格为12,000美元起，详情请访问http://www.tek.com/isolated-measurement-systems。 发表于：2016/8/18 新型高耐压功率场效应晶体管 摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构，分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理，介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。 发表于：2016/8/18 场效应晶体管放大器 场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型--结型场效应管和绝缘栅场效应管可构成相应的场效应管放大器。以下以结型管为例给出三种基本组态放大器的等效电路和性能指标计算表达式，见表5.2-7。图为场效应管具有与晶体管类似的正向受控作用，它也可构成共源极、共漏极、共栅极三种基本放大器。 发表于：2016/8/18 GlobalFoundries取消10nm工艺 AMD下代处理器将直奔7nm 2016年各大晶圆厂的主流工艺都是14/16nm FinFET工艺，Intel、TSMC及三星明年还要推10nm工艺，由于Intel也要进军10nm代工了，这三家免不了一场大战。但是另一家代工厂GlobalFoundries已经决定不走寻常路了，他们确认会取消10nm工艺，直接杀向7nm工艺，这也意味着AMD未来处理器也会跳过10nm工艺直奔7nm工艺。 发表于：2016/8/18 Verizon 高通表示 Wi-Fi联盟LTE-U测试计划存在不公平 近日，LTE-U技术者对Wi-Fi联盟即将发布的最新LTE-U与Wi-Fi之间干扰的测试计划表示了强烈不满，Verizon则对此进行了声援。 发表于：2016/8/18 <…1494149514961497149814991500150115021503…>
