消费电子最新文章 台积电3nm良率难提升 多版本3nm工艺在路上 近日，关于台积电3nm工艺制程有了新消息，据外媒digitimes最新报道，半导体设备厂商透露，台积电3纳米良率拉升难度飙升，台积电因此多次修正3纳米蓝图。 发表于：2022/2/23 日本拟对俄制裁！限制芯片出口！ 2月22日消息，俄乌局势紧张加剧，普京宣布承认乌东两地为“独立共和国”，并派遣大批俄军进驻顿巴斯，维护“两国”的安全。酝酿已久的美国则顺势抛出了对俄“金融制裁”计划，并鼓动其他国家一起对俄罗斯出手。 发表于：2022/2/23 苹果iPhone 14进入代工试产阶段：鸿海则稳坐iPhone代工龙头宝座！ 2月21日消息，据中国台湾经济日报报道， 苹果iPhone 14近期进入代工试产阶段。 发表于：2022/2/23 x86被ARM取代 Intel自信比苹果自研处理器更好 自从推出自研的M1系列处理器之后，苹果已经开始在Mac电脑产品线中大量使用自家芯片，ARM架构也在桌面平台逐渐取代x86处理器了。 发表于：2022/2/23 消息称国产17nm工艺内存芯片良率已达40% 经过几年的追赶，国产DRAM内存芯片由合肥长鑫在2019年量产，首发的是19nm工艺，今年合肥长鑫就要推出下一代的17nm工艺内存芯片了，不过首发产品不是传闻中的DDR5，而是DDR4。 发表于：2022/2/23 史上最快！realme最快闪充宣布 今天，realme宣布将于2月28日在MWC上发布realme有史以来最快的闪充科技。 发表于：2022/2/23 135亿！果链巨头立讯精密拟巨额定增多个领域项目 2月22日消息，日前，立讯精密发布公告称，拟通过非公开发行募资135亿元，用于智能可穿戴设备产品生产线建设及技术升级项目、智能汽车连接系统产品生产线建设项目以及补充流动资金等七项用途。 发表于：2022/2/23 航顺车规级HK32MCU点亮2022冬奥会，尽展高科技璀璨灯光魅力 2月20日晚,第二十四届冬季奥林匹克运动会闭幕式在北京国家体育场举行,至此为期17天的精彩冬奥会落下帷幕。 发表于：2022/2/22 智能油烟机触控面板中应用的电容式触摸芯片 采用现代工业自动控制技术、互联网技术与多媒体技术的油烟机产品，能够自动感知工作环境空间状态、产品自身状态，能够自动控制及接收用户在住宅内或远程的控制指令；更高级的智能油烟机作为智能家电的组成部分，能够与住宅内其它家电和家居、设施互联组成系统，实现智能家居功能。 发表于：2022/2/22 速科德PCB分板解决方案精选：无静电割板 PCB线路板在高速分板过程中必然会产生静电，稍有不慎就可能造成电子元件损坏，电路干扰或功能紊乱，不仅造成经济损失，同时也会因交期连带性丢失客户。为实现PCB分板的智能化、高效率、高精度，解决PCB分板过程中产生的静电，以及消除对线路板不可靠性隐患问题，速科德Kasite研发的ESD无静电分板在整个PCB分板行业成为领先的突破性技术，为PCB分板技术工艺画上了完美句号！Kasite经常被模仿，从未被超越！ 发表于：2022/2/22 北大破冰EUV光刻机核心技术，国产芯片迎来超车新机遇 近几年来，我国科学技术不断发展。在有些技术方面甚至领先国际水平，在近几天北京冬奥会上科学水平应用在人工智能化中，也让世人叹为观止。 发表于：2022/2/22 比亚迪半导体指纹识别专利获授权：两级唤醒 2月21日消息，企查查公开数据显示，比亚迪半导体股份有限公司“指纹识别装置、移动终端和指纹识别装置的唤醒方法”专利获授权。 发表于：2022/2/22 前英伟达数据科学家加入LG新能源 任新设职位“首席数字官” LG新能源表示，英伟达机器学习领域的知名专家Pyun Kyung-suk将加入该公司，出任新设职位首席数字官（CDO）。据LG新能源，来自英伟达硅谷总部的Pyun Kyung-suk将带领这家韩国电池制造商完成全球范围内的数字化转型，打造以数据为中心的运营模式。 发表于：2022/2/22 Gartner：2025年有效细分市场中过半企业的IT支出将转向云 根据Gartner的最新预测，2025年有效细分市场中的企业在公有云计算领域的IT支出将超过传统IT服务支出。 发表于：2022/2/22 Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件，RDS(ON)*Qg FOM仅为2.8 Ω*nC，达到业内先进水平 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内先进水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标（FOM）。 发表于：2022/2/22 <…415416417418419420421422423424…>
