业界动态 我国成功发射卫星互联网高轨卫星02星 8月1日消息，今晚21时14分，由火箭院抓总研制的长征三号乙运载火箭（简称“长三乙火箭”）在西昌卫星发射中心点火升空。 将卫星互联网高轨卫星02星送入预定轨道，顺利完成发射任务。 发表于：2024/8/2 上午11:13:00 瑞萨电子完成对澳大利亚设计工具厂商Altium的收购 8月1日，日本瑞萨电子宣布与全球电子设计系统领导者Altium Limited（简称“Altium”）宣布，瑞萨电子成功完成了对Altium的收购。瑞萨电子在2024年2月15日就宣布了以91亿澳元（约59亿美元）收购 Altium 的最终协议 发表于：2024/8/2 上午11:05:00 英特尔宣布裁员1.5万人 8 月 2 日消息，在今天公布了财报之后，英特尔 CEO 帕特・基辛格公布了发送给员工的备忘录，宣布进行一项“重大成本削减措施”—— 计划在 2025 年实现节约 100 亿美元（注：当前约 722.44 亿元人民币）的成本，包括减少约 15000 个职位，约占员工总数 15%，大部分措施将于今年年底前完成。 发表于：2024/8/2 上午10:53:00 Vishay推出通过AEC-Q200认证的极高可靠性薄膜片式电阻器，可提供高达70 GHz的稳定高频性能 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年8月2日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一系列通过AEC-Q200认证的全新薄膜片式电阻---CHA系列，这些产品可为汽车、宇航和航空电子、电信应用提供高达70 GHz的高频性能。Vishay Sfernice CHA系列采用紧凑型02016封装尺寸，电阻值涵盖从10 W到500 W的范围。 发表于：2024/8/2 上午10:44:22 LG新能源和三星SDI加速4680电池量产 8 月 1 日消息，《韩国先驱报》报道称，LG 新能源和三星 SDI 的 4680 电池接近量产，而且 LG 新能源可能比三星 SDI 更早实现量产。 据称，LG 新能源计划于今年 8 月开始在北忠清道清州试产 4680 电池，并在年底实现量产。据称，LG 新能源生产的第一批 4680 电池将直接供应给特斯拉。 发表于：2024/8/2 上午10:42:00 欧盟《人工智能法案》正式生效 8 月 1 日消息，在欧盟官方发布《人工智能法案（Artificial Intelligence Act）》最终完整版本 20 天后，全球首部全面监管人工智能的法规于当地时间 8 月 1 日正式生效。 据介绍，《人工智能法案》旨在确保在欧盟开发和使用的人工智能是值得信赖的，并有保障措施保护人们的基本权利。该法规旨在在欧盟建立一个统一的人工智能内部市场，鼓励采用这项技术，并为创新和投资创造一个支持性的环境。 发表于：2024/8/2 上午10:19:00 2024中国电子信息企业百强榜公布 8月1日消息，近日，中国电子信息行业联合会揭晓了2024年中国电子信息企业百强榜单。 荣登榜单前10名的企业包括华为、比亚迪、联想、海尔、小米、TCL、海信、京东方、天能和中兴。 据统计，这届百强企业在2023年的主营业务收入总和达到65380亿元，同比增长10%，在规模以上的电子信息制造业中的收入占比超过40%。 其中，有16家企业的主营收入超过了1000亿元；而入围企业中，主营收入最高的超过了6000亿元，最低的也接近100亿元。 此项电子信息百强企业的发布活动，是由工信部指导、中国电子信息行业联合会主办，至今已成功举办了38届。 发表于：2024/8/2 上午10:11:00 OpenAI承诺向美国政府提供其下一代AI模型早期使用权 OpenAI承诺向美国政府提供其下一代AI模型早期使用权 发表于：2024/8/2 上午10:01:00 消息称英特尔仍在开发集成 CPU+GPU的数据中心XPU 8 月 1 日消息，匈牙利媒体 PROHARDVER! 表示，英特尔仍在内部开发数据中心 XPU 产品，目前看来有望 2027 年发布。 IT之家先在此整理下原有望成为英特尔首款 XPU 产品的 Falcon Shores 处理器的来龙去脉： 英特尔 2022 年公布了初版 Falcon Shores 设计。在英特尔那时的预想中，这款 XPU 将在单一插槽中容纳 x86 CPU 与 Xe GPU，较当时产品拥有 5 倍以上的每瓦性能、计算密度、内存容量与带宽。 发表于：2024/8/2 上午9:50:00 泛林推出新一代低温介质蚀刻技术Lam Cyro 3.0 为 1000 层 NAND 闪存制造铺平道路，泛林推出新一代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0 8 月 1 日消息，泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。 发表于：2024/8/2 上午9:39:00 <…851852853854855856857858859860…>
