头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 大机组MFT硬跳闸回路设计方案 MFT包括DCS软逻辑跳闸回路与后备硬跳闸回路两部分，MFT后备硬跳闸回路同时接受DCS软逻辑跳闸信号与手动跳闸信号，因此可在FSSS控制器故障失效或紧急情况下手动停炉，直接切断燃料。MFT硬跳闸回路可设计为正逻辑和反逻辑2种方式。为防止保护误动和拒动，设计2个多触点手动MFT按钮，当2个按钮同时按下后，硬跳闸回路才会动作。 发表于：2011/8/19 一种大功率LED驱动电源设计方 大功率区域照明存在不少挑战，如灯具可能难以接近、光源发生故障时可能带来安全问题、户外存在多种极端环境条件等。此外，不容忽视的是，应用于大功率区域照明的现有光源(如金属卤素灯、高压钠灯、线性荧光灯及紧凑型荧光灯)存在着不少局限，如高压钠灯的显色性差(CRI约为22)，金属卤素灯的典型灯具损耗较高(40%)且其从启动到发光至完整亮度经历的时间可能长达10分钟，线性荧光灯的冷温度性能差，紧凑型荧光灯的启动速度也较慢。 发表于：2011/8/19 FreescaleMK30X256单相电表参考设计方案 Freescale公司的MK30X256是集成了段式LCD控制器的低功耗基于100MHzARMCortex-M4内核的MCU,支持多达320段LCD.K30系列采用创新的90nm薄膜存储(TFS)闪存技术和FlexMemory(EEPROM),提供一流的低功耗和混合信号集成,器件提供1.25DhrystoneMIPSperMHz的性能,工作电压和闪存写入电压均为1.71-3.6V,多达16路DMA,主要用在自动调温器,智能仪表,心率监视仪和血气分析仪.本文介绍了K30MCU主要特性和优势,方框图以及MQXTM+ 发表于：2011/8/19 基于电流传感器的太阳能装置设计 当太阳能电池板所产生的电能反馈回电网时(一个“电网连接”系统)，可以采用两种连接方式：将太阳能电池组件与逆变器连接，经变压器接入电网，或者将逆变器直接与电网连接，避免使用变压器(无变压器系统)。 发表于：2011/8/19 革命性“混合超级电容”可望实现电池技术跨越式进步 Ioxus Inc.日前发布了一种重大的电池结构改良，将有助于缩减半导体和电池技术之间的差距──传统电池技术由于必须依赖无法改变的化学反应，成长脚步一直落后于半导体。 发表于：2011/8/19 PowerintLNK417EG15W离线LED驱动电源方案(DER284) Powerint公司的LinkSwitch-PH系列大大地简化了实现功率因素大于0.9,TRIAC调光和高效率的LED驱动器的设计.器件集成了725V功率MOSFET,连续模式PWM控制器,用于自偏压的高压开关电流源,频率抖动,逐个周期限流和滞后热关断电路,最适合用于离线LED驱动器.本文介绍了LinkSwitch-PH系列产品亮点,功能方框图,14W和7WLED驱动器电路图,以及采用LNK417EG无电解电容高效率(≥90%)PFC大于0.9的15WLED驱动器参考设计电路图,主要指标和材料清单 发表于：2011/8/19 变频器控制原理图设计及其故障分析 变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交—直—交方式（VVVF变频或矢量控制变频），先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。变频器的电路一般由整流、中间直流环节、逆变和控制4个部分组成。整流部分为三相桥式不可控整流器，逆变部分为IGBT三相桥式逆变器，且输出为PWM波形，中间直流环节为滤波、直流储能和缓冲无功功率。 发表于：2011/8/19 设计方案 :用于LED路灯的高效率电源驱动器(附图） 近年来，随着大功率白光LED技术的发展，照明产业开始面临新的机遇与挑战。LED越来越多地被应用于通用照明领域，道路照明则是其中一个极具潜力的重要应用领域。由于LED本身所特有的长寿命、潜在的高光效的特征，设计一款能够充分发挥此特征的高效率恒流驱动电源则显得尤为重要。 发表于：2011/8/19 有源纹波补偿BUCK型LED驱动电路设计 本文提出一种有源纹波补偿BUCK 型LED 驱动电路。该电路无需使用大容量电解电容，所需要的小容量电容可以采用能量密度较小的新型长寿命电容，利用有源补偿技术抑制输出纹波电流。由于取消电解电容的使用，可以使电路寿命增长，稳定性提高，便于集成，电路易小型化。 发表于：2011/8/19 一种带隙基准电压源的设计与仿真 设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。 发表于：2011/8/19 <…1271127212731274127512761277127812791280…>
