头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 "不插电现场" 纯电动EV感应式充电技术解析 网易汽车曾经报道了北京、太原等地电动汽车项目的现状，事实证据面前，让人无法不质疑目前我国的电动车的发展现状。虽然纯电动EV远未到普及之日，然而历史的车轮也在不断的前进，推动着纯电动EV发展，终有一日人们会迎来全面EV化的交通。可是正如汽车多了会闹油荒一样，EV多了也会有自己的问题，那就是充电难题。 发表于：2011/6/20 NSLM3409PFET降压控制大功率LED驱动方案 NS公司的LM3409/09HV是用于降压电流调整的P沟MOSFET（PFET）控制器，LM3409/LM3409Q输入电压从6V到42V，LM3409HV/LM3409QHV输入电压从6V到75V。PWM调光范围10000:1，模拟调光范围250:1，支持所有的陶瓷电容输出和无电容输出能驱动正向电流达5A的大功率LED，主要用在LED驱动器，恒流源，汽车照明，通用照明和工业照明。本文介绍了LM3409/09HV主要特性，方框图，多种应用电路和相应的材料清单，以及LM3409HV评估板电路图和评估板材 发表于：2011/6/20 大功率LED高频驱动电路设计方案 由于白光LED具有低成本、长寿命和小体积的特性， 被迅速应用到了照明和背光等领域， 其驱动电路也层出不穷， 但大多数驱动源都没有解决效率不高， LED发光亮度不一致， 发热量大等问题。该文提出了一种基于恒流二极管的大功率LED 高频驱动方案， 以带可控端的2THL系列恒流二极管为驱动元件， 通过在控制端输入高频脉冲小信号控制恒流二极管通断， 从而实现高频恒流驱动大功率LED这一目的。调节脉冲信号占空比即可实现LED调光。该文设计的驱动电路不仅能够保证LED 持续、稳定、高效地工作， 在一定程度上减小了LED 芯片发热量， 提高了LED 灯具使用寿命， 并且对输入电源要求不高， 整体可以节能40% 左右。 发表于：2011/6/20 台达NT系列UPS双总线系统设计方案 为保证数据中心机房内所有设备24小时不间断优质供电，数据中心机房供电系统采用两路在线式UPS供电（每路均为1+1并联冗余配置，提高供电系统的冗错性和可靠性） 发表于：2011/6/20 工程技术论道：换电模式？充电模式？ 近日看到关于中外博士关于换电池还是充电的议题，不禁需要进行一下评论。当然前提得说明一下，当前我主要做的充电事宜，算是我当前吃饭家伙，观点难免有些倾向性，请大家包涵。 发表于：2011/6/20 开关电源中的EMC技术应用 电磁干扰传输有两种方式：一种是传导传输方式，另一种则是辐射传输方式。传导传输是在干扰源和敏感设备之间有完整的电路连接，干扰信号沿着连接电路传递到接收器而发生电磁干扰现象。 发表于：2011/6/20 注意 SEPIC耦合电感回路电流—第1部分 在这篇《电源设计小贴士》中，我们将确定SEPIC拓扑中耦合电感的一些漏电感要求。在不要求主级电路和次级电路之间电气隔离且输入电压高于或者低于输出电压时，SEPIC是一种非常有用的拓扑。在要求短路电路保护时，我们可以使用它来代替升压转换器。SEPIC转换器的特点是单开关工作和连续输入电流，从而带来较低的电磁干扰(EMI)。这种拓扑（如图1所示）可使用两个单独的电感（或者由于电感的电压波形类似），因此还可以使用一个耦合电感，如图所示。因其体积和成本均小于两个单独的电感，耦合电感颇具吸引力。其存在的缺点是标准电感并非总是针对全部可能的应用进行优化。 发表于：2011/6/20 适用于汽车内外部照明的各种LED驱动器方案 近年来，随着LED在光效及成本等几乎各个方面的持续改进，其应用领域不断拓宽，从传统的便携设备背光向中大尺寸LCD显示器/液晶电视背光、汽车及通用照明等领域不断迈进。本文将专门介绍适合于汽车照明应用的各种LED驱动器方案，并探讨一些典型应用。 发表于：2011/6/20 基于单片机的EMC测试及EMC故障排除 对于从事单片机应用系统设计的工程技术人员来说，掌握一定的EMC测试技术是十分必要的。EMC是电磁兼容（Electro-Magnetic Compatibility）的缩写，它包括电磁干扰（EMI）和电磁敏感性（EMS）两部分。由于电器产品在使用时对其它电器有电磁干扰，或受到其它电器的电磁干扰，它不仅关系到产品工作的可靠性和安全性，还可能影响其它电器的正常工作，甚至导致安全危险。 发表于：2011/6/19 IGBT系统的介绍 IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。 发表于：2011/6/19 <…1347134813491350135113521353135413551356…>
