头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 利用数字控制技术优化电源系统设计[图] 经过数十年的发展，高规格DC/DC转换器已经达到性能顶峰，要求电源工程师重新考虑设计方法。事实上，采用人们熟知的模拟控制机制的转换器如今在转换效率和功率密度指标方面已经少有进步，随着设计人员更多地认识到数字电源控制技术的优势，数字电源控制技术正在迅速提升市场份额。在实际应用中，任何数字电源转换器都会采用混合信号硅片工艺支持的模拟和数字组合电路。在本文中，“数字电源控制”指的是用数字电路而不是模拟机制实现电源转换器的内部控制环路。 发表于：2011/6/10 混合动力电动车应用中大功率器件的五大要素 尽管标准内燃机驱动的汽车可以相对轻松地从12V电池供电和相应的12V/14V交流发电机获取车载系统的电气需求，但由于混合动力电动汽车采用了几个系统，它们需要更高的功率级别。对于轻混、全混、插电式混合动力汽车或纯电动汽车而言，耗能最多的组件是电机驱动装置。 发表于：2011/6/10 可充电电池技术和充电方法 本文概述充电方法和现代电池技术，以便更好地了解便携装置所用的电池。这包括镍镉(NiCd)、镍氢(NiMH)和锂离子(Li+)电池化学性质的描述。本文也描述了单节锂离子和锂离子聚合物电池的保护器件。 发表于：2011/6/10 安森美半导体进一步扩充线性稳压器产品阵容推出紧凑的150 mA器件 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出五款超小封装的低压降(LDO) 线性稳压器，强化用于智能手机及其他便携电子应用的现有产品阵容。这些新器件基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，均能提供150毫安(mA)的输出电流。 发表于：2011/6/9 新能源行业迎头追赶 光热行业却暗藏玄机 新能源行业的光热发电一度被冷落，现正试图迎头追赶。然而，刚起步的光热行业却暗藏玄机。 发表于：2011/6/9 大功率IGBT器件应用中常见问题解决方法 80 年代问世的绝缘栅双极性晶体管igbt 是一种新型的电力电子器件，它综合了gtr 和mosfet的优点，控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提高，igbt 成为了大功率开关电源、变频调速和有源滤波器等装置的理想功率开关器件，在电力电子装置中得到非常广泛的应用。随着现代电力电子技术的高频大功率化的发展，开关器件在应用中潜在的问题越来越凸出，开关过程引起的电压、电流过冲，影响到了逆变器的工作效率和工作可靠性。为解决以上问题，过电流保护、散热及减少线路电感等措施被积极采用，缓冲电路和软开关技术也得到了广泛的研究，取得了迅速的进展。本文就针对这方面进行了综述。 发表于：2011/6/9 智能太阳能电池板全天跟踪太阳 东京的新创公司智能太阳能国际公司（SmartSolarInternational）开发了一种新型太阳能电池板，这种电池板包含成排的铝镜条，会随着太阳在天空中移动而缓慢旋转，以面向太阳，实现最佳效率，全天都是这样。 发表于：2011/6/9 5W可调光非隔离式LED驱动电路设计 本文介绍使用LinkSwitch-PL系列器件LNK457DG设计的非隔离式LED驱动器（电源）。在12V和18V的LED灯串电压下可提供350mA单路恒流输出。使用标准的AC市电可控硅调光器可将输出电流降低至1%(3mA)。该电路可同时兼容低成本的前沿调光器和更复杂的后沿调光器。 发表于：2011/6/9 LNK406EG 14W可调光、高效率LED驱动设计 本文介绍的是一款高功率因数、可控硅调光的LED驱动器，它可以在90VAC至265VAC的输入电压范围内为LED灯串提供额定电压28V、额定电流0.5A的驱动。该LED驱动器采用了LinkSwitch-PH系列IC中的LNK406EG器件。 发表于：2011/6/9 电源设计小贴士31：同步降压MOSFET电阻比的正确选择 在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果您是一名 IC 设计人员，则您还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。 发表于：2011/6/9 <…1357135813591360136113621363136413651366…>
