头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 开关电源控制环设计 控制环的设计往往陷入复杂的方程式中，使开关电源的控制设计面临挑战并且常常走入误区。下面几页将展示控制环的简单化近似分析，首先大体了解开关电源系统中影响性能的各种参数。 发表于：2011/3/31 功率器件的保护方法 目前用于电子产品和自动化电子控制设备及功率半导体器件的保护方法有保险丝法、检测主电路法、检测功率器件工作电流法、并联式检测功率器件电压法和并联式监测工作压降法。 发表于：2011/3/31 安森美半导体与杭州海兴将在中国合建电力线通信联合实验室 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)和中国领先的电力能源计量解决方案提供商的杭州海兴电力科技有限公司(Hexing Electrical Co., Ltd)宣布计划建立面向仪表应用的电力线载波 (PLC) 联合实验室。两家公司表达了增强彼此合作关系的共同意愿，旨在优化用于先进计量体系(AMI)系统及解决方案的PLC性能。 发表于：2011/3/30 Microchip公司的 MID平板笔记本电源管理方案 如今的MID类设备都采用较高主频的ARM9乃至ARM11一类的芯片，芯片经常工作在600MHZ以上并且运行操作系统，例如：Android等。随着产品性能提升对于电池的功耗也逐步增加。 发表于：2011/3/30 大功率模拟集成电路测试仪器的研究与实现 为了满足大功率集成电路的测试需求，文中给出了具有大功率负栽驱动能力的电压电流源和高精度集成电路测试系统的设计方法。该测试系统采用四象限驱动和钳位技术、电流扩展技术、恒流源和恒压源设计技术，故能提供精确且宽范围的激励值，同时具有对大功率负载进行驱动的能力，并可以灵活地对被测器件施加电压或电流激励，以对被测器件进行测量。 发表于：2011/3/30 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。 发表于：2011/3/30 开关管和整流管功耗计算方法 本文详细介绍了功率开关管和整流管功耗的计算方法。 发表于：2011/3/30 高效率LED驱动电源设计全解[附图例] 尽管LED应用日益流行，仍有许多电源管理问题需要解决。例如，LED在注重可靠性与安全性的汽车市场的应用虽已大幅成长，但汽车电路系统的电源环境其实相当严苛，所以保护电路设计必须能够承受60V以上的电压突降。 发表于：2011/3/30 精致迷你IGBT制作全过程[图解] 主变压器用EC-35铁氧体磁芯，初级0.2X20mm铜皮3T+3T，次级0.44漆包线45X4共180T分四段再串联。这样12V输入开环大约有720V输出。因高压电解选330UF/330v两个串联，高压就设计在稳压600V.保证高压电解的安全。 发表于：2011/3/30 变流器的核心器件MOSFET和IGBT MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛，最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压（中小功率），IGBT主要应用在高压和中压（大功率）领域。 发表于：2011/3/30 <…1439144014411442144314441445144614471448…>
