头条 中国信通院主导的锂电池和移动通信终端耐用性国际标准正式发布 1 月 9 日消息，泰尔终端实验室今日宣布，国际电信联盟（ITU）正式发布了由中国信息通信研究院（注：简称“中国信通院”）泰尔终端实验室主导制定的两项重要国际标准 —— L.1011《锂离子电池耐用性评价指南》和 L.1018《移动通信终端耐用性评价技术规范》。 最新资讯 pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案 假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频（RF）放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管（FET）需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。 发表于：2023/11/16 Vox Power公司最新发布VCCR300传导式冷却电源单元 爱尔兰都柏林，2023年11月 - Vox Power自豪地宣布推出VCCR300传导式冷却电源系列，这是一款坚固耐用且高度可靠的DC/DC电源，能够安静地输出300W功率。该产品紧凑的外形尺寸仅为7.43 × 4.6英寸，厚度低至1英寸，可确保从几乎任何方向上轻松集成进系统内部，为系统设计者带来极大的灵活性，并有效节省空间。 发表于：2023/11/15 自适应功率优化正在彻底改变电芯 “如果您想要节约能源和缩减开支，那么最好的方法就是关掉所有的电子设备。” 尽管这个建议简单至极，却是一切能耗优化管理行为背后的基本原理和不二法门，所谓的自适应功率优化也不例外。对于采用电池供电的电子设备而言，一旦选定了合适的电池电芯供应商并将其电芯纳入到设计环节，接下来就需要由 PMIC 将电芯的续航时间发挥到极致。 发表于：2023/11/15 ADI进博会携手5大合作伙伴签署战略合作 11月6日，全球领先的半导体公司Analog Devices（下文简称：ADI）首次亮相第六届中国国际进口博览会（下文简称：进博会）。展会期间，ADI以“激活边缘智能，共建数字中国”为主题，围绕工业、汽车、医疗健康、消费电子、新能源与可持续发展等核心领域，集中展现了一系列创新的半导体解决方案。作为深耕本土市场的重要举措，ADI宣布与5家行业头部企业达成重要战略合作，通过多领域、多层次的合作，共同推动行业创新发展。 发表于：2023/11/13 意法半导体发布STSPIN9系列大电流电机驱动芯片 2023年11月8日，中国---意法半导体发布STSPIN9系列大电流电机驱动芯片，先期推出两款产品，应用定位高端工业设备、家电和专业设备。 发表于：2023/11/9 东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护 中国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。 发表于：2023/11/8 瞬变对AI加速卡供电的影响 AI技术完全改变了计算架构，以复现模仿人脑的神经网络。AI看似已广泛存在，但实际上，驱动AI的技术仍在发展。专门用于AI计算的处理器加速器IC包括GPU、现场可编程门阵列（FPGA）、TPU和其他类型的ASIC。本文将它们统称为xPU。 发表于：2023/11/6 德州仪器第三次亮相进博会，释放科技创新力 2023 年 11 月 6 日，上海讯——今日，德州仪器（TI）（纳斯达克股票代码：TXN）以“助力数字化创新，共赴高质量发展”为主题，携创新的模拟和嵌入式处理产品和技术再度亮相进博会（4.1 馆技术装备展区 集成电路专区A1-01 展位），展示其在可再生能源、汽车电子和机器人领域帮助客户实现持续创新。 发表于：2023/11/6 英飞凌推出第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。 发表于：2023/11/3 瑞能半导体CEO Markus Mosen出席ISES CHINA 2023 日前,瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重举行的2023中国国际半导体高管峰会(ISES,原CISES)。 发表于：2023/11/3 <…69707172737475767778…>
