头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 英飞凌推出EiceDRIVER™SIL和EiceDRIVER™Boost，用于汽车级IGBT驱动 英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 今天推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动汽车 (HEV) 的主逆变器而设计的全新EiceDRIVER™ SIL和EiceDRIVER™ Boost驱动器，汽车系统供应商便能够更轻松地设计出更具成本效益的HEV电力传动传动子系统，该系统完全符合ASIL C/D功能安全要求标准 (ISO 26262)。 发表于：2013/5/28 可通过涂布抑制太阳能电池PID现象的技术 日本产业技术综合研究所与Sustainable Titania Technology共同开发出了可抑制PID（Potential Induced Degradation，电势诱导衰减）现象的技术，这种现象会降低太阳能电池模块的输出功率。据介绍，此项新技术可以通过在玻璃基板涂布低价位材料这种简单的方法来实现，因此是一项有望解决PID问题的技术。 发表于：2013/5/27 消费与照明带来数字电源兴旺景象 2013-2017年全球数字电源与数字电源集成电路(IC)市场将繁荣发展，越来越多地用于IT基础设施之中。同时该技术也在向照明与消费导向的应用领域扩展，包括PC、家电和手机。 发表于：2013/5/24 用于太阳能逆变器的 650V IGBT：效率不降低，阻断电压更高 光伏 (PV) 逆变器的设计人员已发现，使用具有高阻断电压的 IGBT 可以在几个方面帮助提高性能和可靠性。 较高的阻断电压可提高转换器的输入级范围，从而更容易处理太阳能电池板的总线电压峰值。 增加阻断电压也可使光伏逆变器更耐低温，即使在较冷的气候条件下，系统也可安装在户外。 发表于：2013/5/24 新一代光电晶体管光耦合器 光电晶体管光耦合器自从 40 年前面世以来就不断演进，目前仍然广泛使用。 目前应用最广的技术是使用砷化镓（GaAs）材料的红外发光二极管（IR LED）。 它们在许多应用中都能发挥很好的性能，但在低电流时效果不佳，因此，对于那些使用较低电流以提高发光效率的系统，这是一个问题。 发表于：2013/5/24 全新改进超级结 MOSFET 超级结 MOSFET以其高开关速度和低开关损耗而著称，但如果印刷电路板 (PCB) 设计不好，则它们会产生负面影响，如增加电磁干扰（EMI）、栅极振荡和高峰漏源电压。 飞兆半导体设计了一种改进的超级结 MOSFET 结构，即SuperFET® II MOSFET，它可让设计人员降低电磁干扰（EMI），运行稳定，同时具有卓越的抗噪性能。 发表于：2013/5/24 欧盟对中国光伏双反初裁明日投票 中欧首轮谈判破裂对于中国光伏企业而言，未来两周将过得非常煎熬。因为5月24日，欧盟成员国内部将就欧委会对华光伏征税建议案投票表决，而两周后的6月6日，初裁结果将正式发布。 发表于：2013/5/24 实现隔离式半桥栅极驱动器 许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。 发表于：2013/5/24 多用途稳压集成电路测试仪的设计原理 多用途稳压集成电路测试仪的设计原理。 发表于：2013/5/23 一种具有变漂移区宽度的新型SOI横向高压器件 本文提出了一种具有变漂移区宽度结构的新型的 SOI 横向高压器件，该结构通过漂移区内的侧壁氧化层改变漂移区的宽度。借助三维器件仿真软件 davinci 对其耐压特性进行了深入分析。结果表明，变漂移区宽度结构不但可以使击穿电压提高 31.5%，而且可以使漂移区掺杂浓度提高 83%。从而降低漂移区电阻。同时，变漂移区的侧壁氧化层可以通过介质隔离技术得到，无需多余的掩膜版。因此具有工艺简单，工艺成本低等优点。 发表于：2013/5/23 <…902903904905906907908909910911…>
