头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 Avago Technologies面向高开关频率应用 推出新门驱动光电耦合器产品 Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)为有线、无线和工业应用模拟接口零组件领先供应商，今天宣布推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅(SiC, Silicon Carbide) MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。相较于Avago前一代产品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在传播延迟上减低了一半。 发表于：2013/5/14 无线充电技术三大主流标准 虽然大部分人对无线充电技术并不感到陌生，但诺基亚Lumia 920发布以后，无线充电功能还是受到人们的普遍关注。作为主打卖点之一，无线充电让Lumia 920与目前主流的手机产品形成了差异化，个性鲜明。但实际上，诺基亚并不是最早在手机上使用无线充电技术的厂商，一年前飞利浦就曾推出过Qi无线充电标准的手机，但最终并未引起消费者关注。 发表于：2013/5/14 适合光伏宽电压的新型单级升降压逆变器 提出一种适合宽输入电压的单级升降压逆变器拓扑，在单级功率变换中实现逆变与升压功能，适用于光伏逆变场合。采用高频功率开关器件构成虚拟变压器替代传统工频升压变压器，并实现变比连续可调，使得逆变系统的体积重量减小，降低成本。本文分析了该逆变器降压与升压的两种工作模式，给出了其调制策略的具体实现方案，并进行了仿真和实验验证。 发表于：2013/5/14 简述升压电路原理 自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件，自举电路包括：输出晶体管、设置在输出晶体管的栅极和源极之间的自举电容器、电源以及执行从电源到晶体管的栅极的供电接通/ 断开控制的电路。独立于晶体管的阈值电压，将自举效应之前的初始电压设为电源的电势。因此，取决于晶体管的阈值电压的变化不会影响由于自举效应引起的晶体管的源极输出的上升或下降。 发表于：2013/5/14 三相超快恢复二极管FRED整流桥开关模块 采用混合集成技术，把由六个超快恢复二极管(FRED)芯片组成的三相整流桥和一个作为开关的晶闸管(SCR)芯片混合集成在一个PPS外壳内，制成了“三相FRED整流桥开关模块”，它主要用于调压调频(VVVF)变频器、大功率开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高频逆变焊机、高频感应加热电源、伺服电机驱动放大器等具有直流环节的变频装置内。简要地介绍了这种模块的设计和制作特点，内部结构和部件作用，应用领域及其主要技术参数。 发表于：2013/5/14 浅叙ESD保护二极管的效果 手机、数码相机、MP3播放器和PDA等手持设备的设计工程师，正不断地面临着在降低整个系统成本的同时、又要以更小的体积提供更多功能的挑战。集成电路设计工程师通过在减少硅片空间大小的同时提高设备的速度和性能，以此来推动这一趋势。 发表于：2013/5/14 论述如何降低肖特基PIN限幅器损耗 无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1]，在时域双工系统中，交换器或循环器连接端口间的非完美隔离会造成前者，后者则由两个未相关系统天线间造成的非故意耦合产生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2]，缩小低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力. 发表于：2013/5/14 基于雪崩性能选择肖特基二极管 汽车电子模块要求采取反向电池保护措施，以避免不良电池操作可能导致的损坏风险。肖特基二极管是这种应用的首选器件，因为它们具有很低的前向压降性能。 发表于：2013/5/14 基于光伏并网系统DC/DC全桥软开关变换器研究 目前并网逆变器市场上大多采用工频隔离型并网逆变器，由于工频变压器会使系统效率变低、体积大、成本高等缺点，近年来，高频隔离型并网逆变器也逐渐成为研究热点;但是逆变器的高频化会带来高电磁干扰(EMI)和高开关损耗，同时考虑到光伏并网系统作为大功率系统的应用，因此移相全桥软开关变换器(FB-ZVZCS)很适用于光伏并网中的DC/DC环节。 发表于：2013/5/14 IGBT使用和设计新方法 IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域(例如：伺服电机的调速、变频电源)。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。 发表于：2013/5/14 <…907908909910911912913914915916…>
