头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 基于杂散电感对高效IGBT4逆变器设计的影响 IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。 发表于：2013/5/14 太阳能充电LED池板电路 厌倦了总是花手电筒电池的钱只是他们失败，当你需要他们吗?试试这个简单的电路了。它会成为一个优秀的科学公正的项目。白光LED是非常光明的，他们提供足够的光线，照亮一晚上的小房间。LED产生一个很好的聚焦光束。你可以阅读此设备。红色，橙色，黄色和绿色的LED灯的颜色频谱拓宽产生一个性能稍微温暖的色温。 发表于：2013/5/13 基于恒流LED驱动系统的设计方案 本文采用恒流源驱动二极管发光，发光二极管电流减小时，恒流源电路采集到变化(减小)的电流值，进行放大后，传输给控制电路，控制电路对采样信号进行反相处理，输出脉冲宽度。 发表于：2013/5/13 论述如何控制IGBT逆变器设计中的杂散电感 IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。 发表于：2013/5/13 如何设计过流、过压、过热IGBT保护电路 IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须但对IGBT进行相关保护。 发表于：2013/5/13 富士通半导体推出全新能量收集电源管理IC产品，为低碳社会做贡献 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出两款全新的电源管理IC产品，为收集能量而开发的MB39C811 DC/DC降压转换器和MB39C831 DC/DC升压转换器。预定今年六月开始提供新产品的样片。 发表于：2013/5/13 配合通用照明趋势的安森美半导体高能效、更智能LED驱动器方案 照明用电是全球能耗的一项重要来源。据推算，中国照明用电约占全社会用电量的12%左右。在各种照明灯具中，历史悠久但能效较低的白炽灯的应用仍然非常广泛，如果限制低能效光源的使用、同时大力地推广及应用更高能效及环保的光源，将利于节能。因此，包括中国在内，世界上多个国家制定政策，分阶段淘汰白炽灯泡。如中国计划于2015年60W以上普通.. 发表于：2013/5/13 互补双极晶体管的筛选 于要使用互补双极晶体管的电路设计，有时候需要筛选出与直流增益(β)相匹配的NPN和PNP晶体管。这样一种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。图1中的电路给出了一种简单的测试设备，能够获得这种匹配。 发表于：2013/5/10 基于直流电压前馈控制数字逆变电源设计与实现 逆变电源一般采用瞬时反馈控制技术来提高逆变电源的动态响应速度，减少输出电压的谐波含量，改善输出电压波形的质量。常见的逆变电源控制技术，有重复控制、谐波补偿控制、无差拍控制、电压瞬时值控制和带电流内环的电压瞬时值控制等类型 发表于：2013/5/10 IGBT应用设计全面剖析 众所周知，IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须对IGBT进行相关保护。一般我们从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护电路设计。 发表于：2013/5/10 <…908909910911912913914915916917…>
