头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 基于DDSF1352/DTSF1352电表的低压终端电能管理 安科瑞徐玉丽（江苏安科瑞电器制造有限公司江苏江阴214405）摘要：鉴于公共建筑电能消耗主要集中在低压终端的现状，为了实现对终端用户用能的量化管理，在公共建筑低压配电系统中加装电能计量装置，实现电能计量管理十分必要。本文介绍一种采用现场总线的数字式复费率电能表，以及利用该表组成的电能管理系统，实现电 发表于：2013/4/25 浅谈ARD3智能电动机保护器设计原理 安科瑞徐玉丽（江苏安科瑞电器制造有限公司江苏江阴214405）摘要：本文着重介绍ARD3电动机保护器的具体设计方法，给出硬件原理图和软件流程图。文章按照产品的各硬件功能模块进行展开说明，介绍硬件功能模块时，对硬件功能模块原理图进行详细分析，结合各种实际应用的情况说明此处硬件是怎样设计的，为什么这样设 发表于：2013/4/25 Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。 发表于：2013/4/24 电流互感器在光伏逆变器中的使用方法 太阳能发电分为光热发电和光伏发电。通常说的太阳能发电指的是太阳能光伏发电，简称“光电”。光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。 发表于：2013/4/23 简谈三极管和MOS管在开关电源中的应用 在做开关电源电路设计中，如何区别及选用三极管和MOS管? 发表于：2013/4/23 工信部将出台涉及准入条件的光伏指导意见 近日，工信部正在会同有关部门制定扶持太阳能光伏产业的有关意见，其中或将包括光伏产业的准入条件，并有望于近日获得讨论通过。 发表于：2013/4/22 艾默生网络能源的60W对流散热医疗设备电源可在高达80摄氏度的温度环境下正常工作 艾默生网络能源（Emerson Network Power）是艾默生集团（纽约证券交易所代号：EMR）的其中一个业务部门，专为世界各地的OEM厂商提供高度灵活的嵌入式计算技术和电源产品，这方面的技术一直居世界前列。该公司宣布推出一款全新的医疗设备电源产品。这款型号为NPS64-M 的电源模块属于该公司60W对流散热交流/直流开放式电源系列的最新型号产品，其特点是可提供15V的直流输出，电压大小可以调整，高低幅度可达20%，输出电流则高达4A。此外，这款电源产品可在0至50摄氏度的温度环境下支持全负载操作，额定功率若适量降额，有关产品甚至可以在高达80摄氏度的温度环境下使用。 发表于：2013/4/22 开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析 结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。 发表于：2013/4/22 电传动车辆用高功率锂离子电池性能分析研究 为研究功率型锂离子电池性能，对某35 Ah功率型锂离子电池单体进行了充放电特性试验和分析，由此获得功率型电池在不同温度和不同倍率下的充放电特性、内阻特性和温升特性。研究结果表明，低温下电池的充放电内阻较大，充放电性能衰减显著；常温下电池的内阻较小，充放电温升较小，大电流充放电的容量稳定性好，质量比能量高，作为电传动车辆主要或辅助动力源具有良好的应用前景。 发表于：2013/4/22 基于ECL逻辑器件的高频相移信号发生电路 提出了一种基于脉冲抑制原理的可编程ECL逻辑器件的高频相移信号发生电路。给出了输出相移量为2π/32的20 MHz信号的频率稳定性测试实验结果，对于1 s～10 000 s的积分时间，艾伦标准方差值σy(τ)<10-9。该电路具有电路设计原理简单、可复制性强、电路体积小、成本低等优点。 发表于：2013/4/22 <…913914915916917918919920921922…>
