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采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计
所属分类：技术论文
上传者：aet
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文档介绍：设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构，引入栅极电感补偿高频的增益损失，电路具有高增益、低噪声的特点，并且具有平坦的通带增益。设计采用UMC 0.18 μm工艺，后仿真显示：在1.8 V供电电压下，LNA的直流功耗约为9.45 mW，电路的最大增益约为23 dB，3 dB频带范围为0.1 GHz~1.35 GHz，3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB~5 dB；在1 V供电电压下，电路依然能够保持较高的性能。
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