| 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计 | |
| 所属分类：技术论文 | |
| 上传者：aet | |
| 文档大小：496 K | |
| 所需积分：0分积分不够怎么办？ | |
| 文档介绍：设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源。重点研究了带隙基准源电源抑制能力，尤其是高频PSRR，达到宽频带范围PSRR高性能指标。采用0.35 μm BiCMOS工艺进行仿真，结果表明，PSRR在1 Hz频率下达-108.5 dB，在15 MHz频率下达-58.9 dB；采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1.183 V，在-40 ℃~95 ℃温度范围内，温漂系数低达1.5 ppm/℃。 | |
| 现在下载 | |
| VIP会员，AET专家下载不扣分；重复下载不扣分，本人上传资源不扣分。 | |
Copyright © 2005-2024 华北计算机系统工程研究所版权所有 京ICP备10017138号-2